规格:漏源电压(Vdss) 60V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2940)
分立半导体产品
(2940)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(102)
Central Semiconductor Corp(9)
Comchip Technology(2)
Diodes Incorporated(327)
EPC(10)
Fairchild/Micross Components(525)
Fairchild/ON Semiconductor(124)
Infineon Technologies(486)
IXYS(13)
IXYS Integrated Circuits Division(2)
Kionix Inc.(27)
Micro Commercial Co(8)
Microchip Technology(32)
Nexperia USA Inc.(145)
NXP USA Inc.(34)
ON Semiconductor(189)
Panasonic - DTG(1)
Panasonic Electronic Components(4)
Panasonic Industrial Automation Sales(3)
Renesas Electronics America(40)
Rohm Semiconductor(21)
Sanken(36)
STMicroelectronics(142)
Taiwan Semiconductor Corporation(85)
Texas Instruments(29)
Toshiba Semiconductor and Storage(78)
Trinamic Motion Control GmbH(1)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(74)
Vishay Beyschlag(188)
Vishay Electro-Films(76)
Vishay Huntington Electric Inc.(34)
Vishay Semiconductor Diodes Division(17)
Vishay Semiconductor Opto Division(3)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(43)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Sprague(1)
Vishay Thin Film(1)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028778
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3206PBF
仓库库存编号:
IRFSL3206PBF-ND
别名:SP001578476
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 173A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7537PBF
仓库库存编号:
IRFSL7537PBF-ND
别名:SP001578438
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Ta),148A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7748L1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7748L1TRPBFCT-ND
别名:IRF7748L1TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3306TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3306TRL-ND
别名:SP001522172
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 294W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7534PBF
仓库库存编号:
IRFSL7534PBF-ND
别名:SP001568208
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名:SP001028780
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7530PBF
仓库库存编号:
IRFSL7530PBF-ND
别名:SP001565198
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3256PBF
仓库库存编号:
IRFB3256PBF-ND
别名:SP001577830
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP024N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP024N06N3 G
IPP024N06N3 G-ND
IPP024N06N3G
SP000680764
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 214W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N06NATMA1
仓库库存编号:
IPT012N06NATMA1-ND
别名:SP001637074
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3036TRL
仓库库存编号:
AUIRLS3036TRL-ND
别名:SP001519912
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3036-7TRL
仓库库存编号:
AUIRLS3036-7TRL-ND
别名:SP001518960
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-262
型号:
AUIRLSL3036
仓库库存编号:
AUIRLSL3036-ND
别名:SP001521854
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 4A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4C3F60L
仓库库存编号:
497-4396-1-ND
别名:497-4396-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NF06
仓库库存编号:
497-4374-5-ND
别名:497-4374-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 38A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB45NF06
仓库库存编号:
497-5731-1-ND
别名:497-5731-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12PF06
仓库库存编号:
497-2721-5-ND
别名:497-2721-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
STP45NE06
仓库库存编号:
497-2762-5-ND
别名:497-2762-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号