规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 19A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
型号：
AOT264L
仓库库存编号：
785-1414-5-ND
别名：785-1414-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5483NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5483NLT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），268W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB266L
仓库库存编号：
785-1328-1-ND
别名：785-1328-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 2.4W（Ta），125W（Tj） D2PAK
型号：
NTBV45N06LT4G
仓库库存编号：
NTBV45N06LT4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R6-60E,118
仓库库存编号：
1727-1090-1-ND
别名：1727-1090-1
568-10243-1
568-10243-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN2R0-60PSRQ
仓库库存编号：
PSMN2R0-60PSRQ-ND
别名：934068472127
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C628NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C628NLWFAFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5483NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5483NLWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0656DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0656DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0656DPB-00#J5-ND
RJK0656DPB-00#J5TR
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5862NG
仓库库存编号：
NTP5862NG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
型号：
NVB25P06T4G
仓库库存编号：
NVB25P06T4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R4-60E,118
仓库库存编号：
1727-7134-1-ND
别名：1727-7134-1
568-9566-1
568-9566-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述：通孔 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-262-3
型号：
2SJ661-1E
仓库库存编号：
2SJ661-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ24G
仓库库存编号：
IRLIZ24G-ND
别名：*IRLIZ24G
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 20A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
型号：
AOT262L
仓库库存编号：
785-1413-5-ND
别名：785-1413-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P06-15L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P06-15L_GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号：
SQP50N06-09L_GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCT
仓库库存编号：
DMNH6008SCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014
仓库库存编号：
IRLU014-ND
别名：*IRLU014
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO220S
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Ta） 100W（Tc） TO-220S
型号：
2SK3710
仓库库存编号：
2SK3710-ND
别名：2SK3710 DK
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C612NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C612NLT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-263-2
型号：
2SJ661-DL-1E
仓库库存编号：
2SJ661-DL-1E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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