规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14STRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ14STRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14STRRPBF
仓库库存编号:
IRLZ14STRRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ24SPBF
仓库库存编号:
IRLZ24SPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5873NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5873NLT1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ14STRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5483NLT3G
仓库库存编号:
NVMFD5483NLT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0653DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0653DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0653DPB-00#J5CT
RJK0653DPB00J5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5873NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5873NLWFT1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 25A(Ta) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
TK25E06K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK25E06K3S1X(S-ND
别名:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 23W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2266H-EL-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C628NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C628NLWFT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Ta),150A(Tc) 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C628NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C628NLWFAFT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5483NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5483NLWFT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370ADP-T1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113PBF
仓库库存编号:
IRFD113PBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8A(Ta),78A(Tc) 2.1W(Ta),187W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB411L
仓库库存编号:
AOB411L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK3816-DL-1E
仓库库存编号:
2SK3816-DL-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 85A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),85A(Tc) 7.3W(Ta),104W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6260
仓库库存编号:
AON6260-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Ta) 84W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS5A302PLZT4G
仓库库存编号:
NVATS5A302PLZT4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH6005LCT
仓库库存编号:
DMTH6005LCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14STRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP60N06-15_GE3
仓库库存编号:
SQP60N06-15_GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z14GPBF-ND
别名:*IRFI9Z14GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRLZ34SPBF
仓库库存编号:
IRLZ34SPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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