规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86566_F085
仓库库存编号：
FDBL86566_F085CT-ND
别名：FDBL86566_F085CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF06
仓库库存编号：
497-3201-5-ND
别名：497-3201-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220-3
型号：
DMT6010SCT
仓库库存编号：
DMT6010SCTDI-5-ND
别名：DMT6010SCTDI-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta）
型号：
SI7370DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7370DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7370DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STP36NF06FP
仓库库存编号：
497-16203-5-ND
别名：497-16203-5
STP36NF06FP-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN4R6-60PS,127
仓库库存编号：
1727-4663-ND
别名：1727-4663
568-5780
568-5780-5
568-5780-5-ND
568-5780-ND
934064296127
PSMN4R6-60PS,127-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU10P6F6
仓库库存编号：
497-13884-5-ND
别名：497-13884-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
型号：
DMTH6004SCTBQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
别名：DMTH6004SCTBQ-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUM50020E-GE3
仓库库存编号：
SUM50020E-GE3CT-ND
别名：SUM50020E-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP50020E-GE3
仓库库存编号：
SUP50020E-GE3CT-ND
别名：SUP50020E-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta）, 136W（Tc） TO-220-3
型号：
DMTH6004SCT
仓库库存编号：
DMTH6004SCTDI-5-ND
别名：DMTH6004SCTDI-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 333W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH272N6F7-6AG
仓库库存编号：
STH272N6F7-6AG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP260N6F6
仓库库存编号：
497-11230-5-ND
别名：497-11230-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI020N06NAKSA1
仓库库存编号：
IPI020N06NAKSA1-ND
别名：IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
型号：
CSD88599Q5DCT
仓库库存编号：
296-46924-1-ND
别名：296-46924-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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EPC
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
型号：
EPC2102ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2102ENGRCT-ND
别名：917-EPC2102ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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EPC
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
型号：
EPC2101ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2101ENGRCT-ND
别名：917-EPC2101ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN65D8LQ-13
仓库库存编号：
DMN65D8LQ-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 340mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN67D8L-13
仓库库存编号：
DMN67D8L-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN67D8LW-13
仓库库存编号：
DMN67D8LW-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN63D1L-13
仓库库存编号：
DMN63D1L-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 340mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN67D8L-7
仓库库存编号：
DMN67D8L-7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN65D8LQ-7
仓库库存编号：
DMN65D8LQ-7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN63D1LW-13
仓库库存编号：
DMN63D1LW-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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