规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34PBF
仓库库存编号:
IRLZ34PBF-ND
别名:*IRLZ34PBF
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 4.8W(Ta), 187W(Tc) PowerFLAT(6x5)
型号:
STL220N6F7
仓库库存编号:
497-15914-1-ND
别名:497-15914-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP55NF06FP
仓库库存编号:
497-3193-5-ND
别名:497-3193-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 52.4A(Tc) 121W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP50N06L
仓库库存编号:
FQP50N06L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),200A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7749L1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7749L1TRPBFCT-ND
别名:IRF7749L1TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP029N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP029N06NAKSA1-ND
别名:IPP029N06N
IPP029N06N-ND
SP000917404
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta),180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB010N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB010N06NATMA1CT-ND
别名:IPB010N06N-ND
IPB010N06NATMA1CT
IPB010N06NCT
IPB010N06NCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
型号:
DMN61D8LVTQ-7
仓库库存编号:
DMN61D8LVTQ-7DICT-ND
别名:DMN61D8LVTQ-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),30A(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6010LFG-7
仓库库存编号:
DMT6010LFG-7DICT-ND
别名:DMT6010LFG-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6008LFG-7
仓库库存编号:
DMT6008LFG-7DICT-ND
别名:DMT6008LFG-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP6A17GQTA
仓库库存编号:
ZXMP6A17GQTADICT-ND
别名:ZXMP6A17GQTADICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) DPAK
型号:
IRFR7546TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7546TRPBFCT-ND
别名:IRFR7546TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7540TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7540TRPBFCT-ND
别名:IRFR7540TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7085TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7085TRPBFCT-ND
别名:IRFH7085TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB037N06N3 G
仓库库存编号:
IPB037N06N3 GCT-ND
别名:IPB037N06N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB029N06N3 G
仓库库存编号:
IPB029N06N3 GCT-ND
别名:IPB029N06N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Ta) 67W(Tc) TO-220
型号:
TK40E06N1,S1X
仓库库存编号:
TK40E06N1S1X-ND
别名:TK40E06N1,S1X(S
TK40E06N1S1X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK40A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK40A06N1S4X-ND
别名:TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1,S4X-ND
TK40A06N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK58A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK58A06N1S4X-ND
别名:TK58A06N1,S4X(S
TK58A06N1,S4X-ND
TK58A06N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF20N06
仓库库存编号:
FQPF20N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7530TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7530TRL7PPCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Ta),120A(Tc) 3W(Ta),214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP020N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP020N06NAKSA1-ND
别名:IPP020N06N
IPP020N06N-ND
SP000917406
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL7N6F7
仓库库存编号:
497-16934-1-ND
别名:497-16934-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号:
STL50DN6F7
仓库库存编号:
497-16488-1-ND
别名:497-16488-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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