规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 16A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K52-60E,115
仓库库存编号:
1727-7273-1-ND
别名:1727-7273-1
568-9903-1
568-9903-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R5-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4280-1-ND
别名:1727-4280-1
568-4969-1
568-4969-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 22A 38W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K35-60E,115
仓库库存编号:
1727-7271-1-ND
别名:1727-7271-1
568-9901-1
568-9901-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD048N06L3GBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K12-60EX
仓库库存编号:
1727-1891-1-ND
别名:1727-1891-1
568-11624-1
568-11624-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ44ESTRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号:
1727-1066-1-ND
别名:1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7540TRLPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB080N06N G
仓库库存编号:
IPB080N06NGINCT-ND
别名:IPB080N06NG
IPB080N06NGINCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R1-60E,118
仓库库存编号:
1727-7252-1-ND
别名:1727-7252-1
568-9881-1
568-9881-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R8-60E,118
仓库库存编号:
1727-1096-1-ND
别名:1727-1096-1
568-10251-1
568-10251-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 294W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7534TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7534TRLPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P G
仓库库存编号:
SPB80P06PGINCT-ND
别名:SPB80P06PGINCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD35P6LLF6
仓库库存编号:
497-15462-1-ND
别名:497-15462-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 4.8W(Ta), 55W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL8DN6LF6AG
仓库库存编号:
497-16504-1-ND
别名:497-16504-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL42P6LLF6
仓库库存编号:
497-15479-1-ND
别名:497-15479-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Tc) 35W(Tc) DPAK
型号:
STD10P6F6
仓库库存编号:
497-13424-1-ND
别名:497-13424-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002K-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-E3CT-ND
别名:2N7002K-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323)
型号:
2N7002WT1G
仓库库存编号:
2N7002WT1GOSCT-ND
别名:2N7002WT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJD5121NT1G
仓库库存编号:
NTJD5121NT1GOSCT-ND
别名:NTJD5121NT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
2N7002W-7-F
仓库库存编号:
2N7002W-FDICT-ND
别名:2N7002W-FDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 450mA(Ta) 360mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002BKM,315
仓库库存编号:
1727-4785-1-ND
别名:1727-4785-1
568-5976-1
568-5976-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-70-6
型号:
2N7002DW
仓库库存编号:
2N7002DWCT-ND
别名:2N7002DWCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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