规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),87A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
型号:
FDMC86570LET60
仓库库存编号:
FDMC86570LET60CT-ND
别名:FDMC86570LET60CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18532Q5B
仓库库存编号:
296-35628-1-ND
别名:296-35628-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH6004SCTB-13
仓库库存编号:
DMTH6004SCTB-13DICT-ND
别名:DMTH6004SCTB-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76429S3ST
仓库库存编号:
HUF76429S3STCT-ND
别名:HUF76429S3STCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),78A(Tc) 2.1W(Ta),45.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF266L
仓库库存编号:
785-1443-5-ND
别名:785-1443-5
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76439S3ST
仓库库存编号:
HUF76439S3STCT-ND
别名:HUF76439S3STCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86566_F085
仓库库存编号:
FDB86566_F085CT-ND
别名:FDB86566_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680644
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH140N6F7-2
仓库库存编号:
497-16314-1-ND
别名:497-16314-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 62W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF47P06YDTU
仓库库存编号:
FQPF47P06YDTU-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK22N6F3
仓库库存编号:
497-10009-1-ND
别名:497-10009-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI030N06
仓库库存编号:
FDI030N06-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.8A(Tc) 31W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M85-60EX
仓库库存编号:
1727-2586-1-ND
别名:1727-2586-1
568-13030-1
568-13030-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 260mA 285mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
型号:
NX7002BKXBZ
仓库库存编号:
1727-2254-1-ND
别名:1727-2254-1
568-12540-1
568-12540-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 320mA 420mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
BSS138PS,115
仓库库存编号:
1727-6479-1-ND
别名:1727-6479-1
568-8393-1
568-8393-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Ta) 478mW(Ta), 8.36W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV55ENEAR
仓库库存编号:
1727-2534-1-ND
别名:1727-2534-1
568-12973-1
568-12973-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y25-60E,115
仓库库存编号:
1727-1496-1-ND
别名:1727-1496-1
568-10976-1
568-10976-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.8A(Tc) 55W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M19-60EX
仓库库存编号:
1727-2558-1-ND
别名:1727-2558-1
568-13002-1
568-13002-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-60YLX
仓库库存编号:
1727-2589-1-ND
别名:1727-2589-1
568-13040-1
568-13040-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M12-60EX
仓库库存编号:
1727-2569-1-ND
别名:1727-2569-1
568-13013-1
568-13013-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S4L12ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA2CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRL60HS118
仓库库存编号:
IRL60HS118CT-ND
别名:IRL60HS118CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20.7A 38W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K35-60EX
仓库库存编号:
1727-1482-1-ND
别名:1727-1482-1
568-10962-1
568-10962-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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