规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 290W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS7534TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS7534TRL7PPCT-ND
别名：IRFS7534TRL7PPCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF60DM206
仓库库存编号：
IRF60DM206CT-ND
别名：IRF60DM206CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC014N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC014N06NS
BSC014N06NS-ND
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），180A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB014N06NATMA1
仓库库存编号：
IPB014N06NATMA1CT-ND
别名：IPB014N06N-ND
IPB014N06NATMA1CT
IPB014N06NCT
IPB014N06NCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
型号：
IRLS3036TRLPBF
仓库库存编号：
IRLS3036TRLPBFCT-ND
别名：IRLS3036TRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），345A（Tc） 3.8W（Ta）, 341W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF7749L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7749L2CT-ND
别名：AUIRF7749L2CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMP6A18DN8TA
仓库库存编号：
ZXMP6A18DN8CT-ND
别名：ZXMP6A18DN8CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP55NF06
仓库库存编号：
497-2777-5-ND
别名：497-2777-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220
型号：
STP10P6F6
仓库库存编号：
497-13440-ND
别名：497-13440
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NF06L
仓库库存编号：
497-5895-5-ND
别名：497-5895-5
STP60NF06L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23
型号：
2N7002-TP
仓库库存编号：
2N7002-TPMSCT-ND
别名：2N7002-TPMSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
型号：
TN2106N3-G
仓库库存编号：
TN2106N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0106N3-G
仓库库存编号：
VN0106N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB11P06TM
仓库库存编号：
FQB11P06TMCT-ND
别名：FQB11P06TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
型号：
CSD88537NDT
仓库库存编号：
296-37795-1-ND
别名：296-37795-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0606N3-G
仓库库存编号：
TN0606N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0106N3-G
仓库库存编号：
VP0106N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 37.2A（Tc） 2.2W（Ta）, 25W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT6009LCT
仓库库存编号：
DMT6009LCTDI-5-ND
别名：DMT6009LCTDI-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP20N06
仓库库存编号：
FQP20N06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP20N06L
仓库库存编号：
FQP20N06L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP45NF06
仓库库存编号：
497-3189-5-ND
别名：497-3189-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 8.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF11P06
仓库库存编号：
FQPF11P06FS-ND
别名：FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18537NKCS
仓库库存编号：
296-36456-5-ND
别名：296-36456-5
CSD18537NKCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
MTP3055VL
仓库库存编号：
MTP3055VLFS-ND
别名：MTP3055VLFS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta），100A（Tc） 192W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18533KCS
仓库库存编号：
296-35013-ND
别名：296-35013
CSD18533KCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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