规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
型号：
SQM120N06-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND
别名：SQM120N06-3M5L_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），245A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86550ET60
仓库库存编号：
FDMS86550ET60CT-ND
别名：FDMS86550ET60CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-TL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-TL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-TL-1EOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB035AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDB035AN06A0_F085CT-ND
别名：FDB035AN06A0_F085CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB029N06
仓库库存编号：
FDB029N06CT-ND
别名：FDB029N06CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C604NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C604NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C604NLT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86561_F085
仓库库存编号：
FDBL86561_F085CT-ND
别名：FDBL86561_F085CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRL60S216
仓库库存编号：
IRL60S216CT-ND
别名：IRL60S216CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI038AN06A0
仓库库存编号：
FDI038AN06A0-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C604NLAFT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
T8 60V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta）, 250A（Tc） 3.3W（Ta）, 160W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5H600NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5H600NLT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH260N6F6-6
仓库库存编号：
497-15144-1-ND
别名：497-15144-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP025N06
仓库库存编号：
FDP025N06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0110N60
仓库库存编号：
FDBL0110N60CT-ND
别名：FDBL0110N60CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 257A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP3006PBF
仓库库存编号：
IRFP3006PBF-ND
别名：SP001556714
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0150N60
仓库库存编号：
FDBL0150N60CT-ND
别名：FDBL0150N60CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB200N6F3
仓库库存编号：
497-10025-1-ND
别名：497-10025-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
详细描述：N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0170N607L
仓库库存编号：
FDB0170N607LCT-ND
别名：FDB0170N607LCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL60SL216
仓库库存编号：
IRL60SL216-ND
别名：IRL60SL216 -ND
SP001558100
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH260N6F6-2
仓库库存编号：
497-11217-1-ND
别名：497-11217-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2020ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2020ENGRCT-ND
别名：917-EPC2020ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002NH6327XTSA1
仓库库存编号：
SN7002NH6327XTSA1CT-ND
别名：SN7002NH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
NX138BKW/SC-70/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 266mW（Ta）, 1.33W（Tc） SC-70
型号：
NX138BKWX
仓库库存编号：
1727-2738-1-ND
别名：1727-2738-1
568-13303-1
568-13303-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 265mA（Ta） 310mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
NX138BKR
仓库库存编号：
1727-2662-1-ND
别名：1727-2662-1
568-13167-1
568-13167-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） SOT-323-3
型号：
NX7002BKWX
仓库库存编号：
568-13170-1-ND
别名：568-13170-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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