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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3NF06L
  仓库库存编号：497-3177-1-ND
  别名：497-3177-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3426EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3426EV-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ3426EV-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 9.4A T0252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMP6185SK3-13
  仓库库存编号：DMP6185SK3-13DICT-ND
  别名：DMP6185SK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP404-TL-H
  仓库库存编号：869-1087-1-ND
  别名：869-1087-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 23A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ158EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ158EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） DPAK
  
  型号：NVD3055L170T4G-VF01
  仓库库存编号：NVD3055L170T4G-VF01CT-ND
  别名：NVD3055L170T4G-VF01CT
  NVD3055L170T4GOSCT
  NVD3055L170T4GOSCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.1A, 3.1A 1.24W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC6040SSD-13
  仓库库存编号：DMC6040SSD-13DICT-ND
  别名：DMC6040SSD-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta），28.8W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055-150T4G
  仓库库存编号：NTD3055-150T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055-150T4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.8W（Ta），14W（Tc） SOT-223
  
  型号：DMP6250SE-13
  仓库库存编号：DMP6250SE-13DICT-ND
  别名：DMP6250SE-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP0610T-G
  仓库库存编号：TP0610T-GCT-ND
  别名：TP0610T-GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT13N06TF
  仓库库存编号：FQT13N06TFFSCT-ND
  别名：FQT13N06TFFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：2SK4017(Q)
  仓库库存编号：2SK4017Q-ND
  别名：2SK4017(Q)-ND
  2SK4017Q
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），37A（Tc） 2.1W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD442
  仓库库存编号：785-1107-1-ND
  别名：785-1107-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT6015LSS-13
  仓库库存编号：DMT6015LSS-13DICT-ND
  别名：DMT6015LSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N06LTM
  仓库库存编号：FQD13N06LTMCT-ND
  别名：FQD13N06LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 14.8W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3L050GNTB
  仓库库存编号：RQ3L050GNTBCT-ND
  别名：RQ3L050GNTBCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFG-7
  仓库库存编号：DMN6013LFG-7DICT-ND
  别名：DMN6013LFG-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3P6F6
  仓库库存编号：497-13537-1-ND
  别名：497-13537-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD11P06TM
  仓库库存编号：FQD11P06TMCT-ND
  别名：FQD11P06TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDM4306NTA
  仓库库存编号：ZDM4306NCT-ND
  别名：ZDM4306N
  ZDM4306NCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDM4306NTA
  仓库库存编号：981-ZDM4306NTA-CHP
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.76A (Ta)，89.5A (Tc) 2.8W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6009LPS-13
  仓库库存编号：DMTH6009LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6009LPS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.8A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT69M8LSS-13
  仓库库存编号：DMT69M8LSS-13DICT-ND
  别名：DMT69M8LSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR014TRPBF
  仓库库存编号：IRFR014TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR014TRPBF
  IRFR014PBFCT
  IRFR014PBFCT-ND
  IRFR014TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3459BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3459BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3459BDV-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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