规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 160W（Tc） TO-220
型号：
IRFB7540PBF
仓库库存编号：
IRFB7540PBF-ND
别名：SP001563988
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU024PBF
仓库库存编号：
IRFU024PBF-ND
别名：*IRFU024PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ14GPBF-ND
别名：*IRFIZ14GPBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
型号：
HUFA76429D3
仓库库存编号：
HUFA76429D3FS-ND
别名：HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP65N06
仓库库存编号：
FDP65N06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VZSPBF
仓库库存编号：
IRFZ44VZSPBF-ND
别名：*IRFZ44VZSPBF
SP001557886
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3006TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3006TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3006TRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ48GPBF-ND
别名：*IRFIZ48GPBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014
仓库库存编号：
IRLR014-ND
别名：*IRLR014
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF85N06
仓库库存编号：
FQPF85N06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7530PBF
仓库库存编号：
IRFB7530PBF-ND
别名：SP001575524
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3206PBF
仓库库存编号：
IRFB3206PBF-ND
别名：64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP265N6F6AG
仓库库存编号：
497-15558-5-ND
别名：497-15558-5
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 341W（Tc） TO-247
型号：
IRFP7530PBF
仓库库存编号：
IRFP7530PBF-ND
别名：SP001560520
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054PBF
仓库库存编号：
IRFP054PBF-ND
别名：*IRFP054PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
NDP7060
仓库库存编号：
NDP7060-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL60B216
仓库库存编号：
IRL60B216-ND
别名：SP001568416
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3006PBF
仓库库存编号：
IRFB3006PBF-ND
别名：SP001570606
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP020N06B_F102
仓库库存编号：
FDP020N06B_F102-ND
别名：FDP020N06B
FDP020N06B-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Sanken
MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-ZIP
型号：
SLA5065
仓库库存编号：
SLA5065-ND
别名：SLA5065 DK
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
型号：
SLA5068-LF830
仓库库存编号：
SLA5068-LF830-ND
别名：SLA5068
SLA5068 DK
SLA5068-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
不受无铅要求限制
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMN66D0LDW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LDWDICT-ND
别名：DMN66D0LDWDICT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名：SPD08P06PGBTMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN7R506NH,L1Q
仓库库存编号：
TPN7R506NHL1QCT-ND
别名：TPN7R506NHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7640S2CT-ND
别名：AUIRF7640S2CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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