规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMN6A25KTC
仓库库存编号：
ZXMN6A25KTCCT-ND
别名：ZXMN6A25KTCCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名：IRFR3806TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
型号：
CSD88539NDT
仓库库存编号：
296-37796-1-ND
别名：296-37796-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS065N06FU6TB
仓库库存编号：
RSS065N06FU6TBCT-ND
别名：RSS065N06FU6TBCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P G
仓库库存编号：
SPD30P06P GCT-ND
别名：SPD30P06P GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3
型号：
RSD220N06TL
仓库库存编号：
RSD220N06TLCT-ND
别名：RSD220N06TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMP6A16DN8TA
仓库库存编号：
ZXMP6A16DN8CT-ND
别名：ZXMP6A16DN8CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD5353
仓库库存编号：
FDD5353CT-ND
别名：FDD5353CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3806TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3806TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3806TRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N06L3 G
仓库库存编号：
IPB034N06L3 GCT-ND
别名：IPB034N06L3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010EZSTRLP
仓库库存编号：
IRF1010EZSTRLPCT-ND
别名：IRF1010EZSTRLPCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名：SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014PBF
仓库库存编号：
IRLU014PBF-ND
别名：*IRLU014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18533Q5AT
仓库库存编号：
296-41959-1-ND
别名：296-41959-1
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.1A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS030N06B
仓库库存编号：
FDMS030N06BCT-ND
别名：FDMS030N06BCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0606L-G
仓库库存编号：
VN0606L-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 15.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF20N06L
仓库库存编号：
FQPF20N06LFS-ND
别名：FQPF20N06L-ND
FQPF20N06LFS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU014PBF
仓库库存编号：
IRFU014PBF-ND
别名：*IRFU014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9024PBF
仓库库存编号：
IRFU9024PBF-ND
别名：*IRFU9024PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1018EPBF
仓库库存编号：
IRF1018EPBF-ND
别名：SP001574502
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14SPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14SPBF-ND
别名：*IRF9Z14SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 114W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP55N06
仓库库存编号：
FDP55N06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP052N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP052N06L3GXKSA1-ND
别名：IPP052N06L3 G
IPP052N06L3 G-ND
SP000680802
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 22.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF30N06L
仓库库存编号：
FQPF30N06L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1010EPBF
仓库库存编号：
IRF1010EPBF-ND
别名：*IRF1010EPBF
SP001569818
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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