以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN66D0LT-7
  仓库库存编号：DMN66D0LTDICT-ND
  别名：DMN66D0LTDICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP6110SSS-13
  仓库库存编号：DMP6110SSS-13DICT-ND
  别名：DMP6110SSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS606NH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.36A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A08KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A08KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A08KTCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP315PH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP171PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP171PH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP170PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP170PH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN6066SSS-13
  仓库库存编号：DMN6066SSS-13CT-ND
  别名：DMN6066SSS-13CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76407D3ST
  仓库库存编号：HUF76407D3STFSCT-ND
  别名：HUF76407D3STFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL G
  仓库库存编号：SPD09P06PL GCT-ND
  别名：SPD09P06PL GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP6A17N8TC
  仓库库存编号：ZXMP6A17N8TCCT-ND
  别名：ZXMP6A17N8TCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TM
  仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND
  别名：FQD20N06TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3458BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3458BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3458BDV-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN6066SSD-13
  仓库库存编号：DMN6066SSD-13CT-ND
  别名：DMN6066SSD-13CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16NF06T4
  仓库库存编号：497-15667-1-ND
  别名：497-15667-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：FDD5612
  仓库库存编号：FDD5612CT-ND
  别名：FDD5612CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR024TRPBF
  仓库库存编号：IRFR024PBFCT-ND
  别名：*IRFR024TRPBF
  IRFR024PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7478TRPBF
  仓库库存编号：IRF7478PBFCT-ND
  别名：*IRF7478TRPBF
  IRF7478PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD12N06RLESM9A
  仓库库存编号：RFD12N06RLESM9ACT-ND
  别名：RFD12N06RLESM9ACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH14006NHL1QCT-ND
  别名：TPH14006NHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD24AN06LA0_F085
  仓库库存编号：FDD24AN06LA0_F085CT-ND
  别名：FDD24AN06LA0_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615N G
  仓库库存编号：BSO615NGINCT-ND
  别名：BSO615NXTINCT
  BSO615NXTINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索