规格：漏源电压（Vdss） 60V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2940)
分立半导体产品
(2940)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(102)
Central Semiconductor Corp(9)
Comchip Technology(2)
Diodes Incorporated(327)
EPC(10)
Fairchild/Micross Components(525)
Fairchild/ON Semiconductor(124)
Infineon Technologies(486)
IXYS(13)
IXYS Integrated Circuits Division(2)
Kionix Inc.(27)
Micro Commercial Co(8)
Microchip Technology(32)
Nexperia USA Inc.(145)
NXP USA Inc.(34)
ON Semiconductor(189)
Panasonic - DTG(1)
Panasonic Electronic Components(4)
Panasonic Industrial Automation Sales(3)
Renesas Electronics America(40)
Rohm Semiconductor(21)
Sanken(36)
STMicroelectronics(142)
Taiwan Semiconductor Corporation(85)
Texas Instruments(29)
Toshiba Semiconductor and Storage(78)
Trinamic Motion Control GmbH(1)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay BC Components(74)
Vishay Beyschlag(188)
Vishay Electro-Films(76)
Vishay Huntington Electric Inc.(34)
Vishay Semiconductor Diodes Division(17)
Vishay Semiconductor Opto Division(3)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(43)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Sprague(1)
Vishay Thin Film(1)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7P06
仓库库存编号：
FQP7P06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号：
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名：ZXMP6A18KTCCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN7R6-60BS,118
仓库库存编号：
1727-7215-1-ND
别名：1727-7215-1
568-9706-1
568-9706-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G
仓库库存编号：
TP0606N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2106A
仓库库存编号：
ZVP2106A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
型号：
RFD3055LE
仓库库存编号：
RFD3055LE-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5864NG
仓库库存编号：
NTP5864NGOS-ND
别名：NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5670
仓库库存编号：
FDS5670CT-ND
别名：FDS5670CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14PBF
仓库库存编号：
IRLZ14PBF-ND
别名：*IRLZ14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014PBF
仓库库存编号：
IRFD014PBF-ND
别名：*IRFD014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号：
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名：BSB028N06NN3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014PBF
仓库库存编号：
IRLD014PBF-ND
别名：*IRLD014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP2955G
仓库库存编号：
NTP2955GOS-ND
别名：NTP2955G-ND
NTP2955GOS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
型号：
FQU11P06TU
仓库库存编号：
FQU11P06TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N06LTU
仓库库存编号：
FQU13N06LTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP13N06L
仓库库存编号：
FQP13N06L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N06LTU_WS
仓库库存编号：
FQU13N06LTU_WS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
FQU17P06TU
仓库库存编号：
FQU17P06TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
搜索
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
