规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R506NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH7R506NHL1QCT-ND
别名：TPH7R506NHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD16N06LESM9A
仓库库存编号：
RFD16N06LESM9ACT-ND
别名：RFD16N06LESM9ACT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3636TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3636TRPBFCT-ND
别名：IRLR3636TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMP6A17DN8TA
仓库库存编号：
ZXMP6A17DN8CT-ND
别名：ZXMP6A17DN8CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
型号：
NTD2955-1G
仓库库存编号：
NTD2955-1GOS-ND
别名：NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7351TRPBF
仓库库存编号：
IRF7351TRPBFCT-ND
别名：IRF7351TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3306A
仓库库存编号：
ZVP3306A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
型号：
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4850EY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9614-60E,118
仓库库存编号：
1727-7259-1-ND
别名：1727-7259-1
568-9888-1
568-9888-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTD3055L104-1G
仓库库存编号：
NTD3055L104-1GOS-ND
别名：NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86520
仓库库存编号：
FDMS86520CT-ND
别名：FDMS86520CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN10LP
仓库库存编号：
VN10LP-ND
别名：FVN10LP
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN4R0-60YS,115
仓库库存编号：
1727-2470-1-ND
别名：1727-2470-1
568-12855-1
568-12855-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 97W（Tc） D2PAK
型号：
PHB32N06LT,118
仓库库存编号：
1727-4764-1-ND
别名：1727-4764-1
568-5941-1
568-5941-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD034N06N3 G
仓库库存编号：
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名：IPD034N06N3 GINCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN2106A
仓库库存编号：
ZVN2106A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y4R8-60EX
仓库库存编号：
1727-1487-1-ND
别名：1727-1487-1
568-10967-1
568-10967-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 32.1A（Tc） 7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4062DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4062DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4062DY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名：SQD40N06-14L_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
型号：
FDD10AN06A0
仓库库存编号：
FDD10AN06A0CT-ND
别名：FDD10AN06A0CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206A
仓库库存编号：
ZVN4206A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206AV
仓库库存编号：
ZVN4206AV-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0106N3-G
仓库库存编号：
TN0106N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7949DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7949DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7949DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3306A
仓库库存编号：
ZVN3306A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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