规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252
型号：
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号：
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名：SUD08P06-155L-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9014PBFCT-ND
别名：*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
型号：
NTD24N06LT4G
仓库库存编号：
NTD24N06LT4GOSCT-ND
别名：NTD24N06LT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3458BDV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号：
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名：BSZ100N06LS3GINCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD17P06TM
仓库库存编号：
FQD17P06TMCT-ND
别名：FQD17P06TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
TN2106K1-G
仓库库存编号：
TN2106K1-GCT-ND
别名：TN2106K1-GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 15.5A（Ta） 65W（Tc） DPAK
型号：
NTD20P06LT4G
仓库库存编号：
NTD20P06LT4GOSCT-ND
别名：NTD20P06LT4GOS
NTD20P06LT4GOS-ND
NTD20P06LT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15.4A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号：
BUK7K52-60EX
仓库库存编号：
1727-1892-1-ND
别名：1727-1892-1
568-11625-1
568-11625-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2106N3-G
仓库库存编号：
VN2106N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
2N7000-G
仓库库存编号：
2N7000-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP6A16KTC
仓库库存编号：
ZXMP6A16KCT-ND
别名：ZXMP6A16KCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN5R6-60YLX
仓库库存编号：
1727-2596-1-ND
别名：1727-2596-1
568-13047-1
568-13047-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRPBFCT-ND
别名：*IRLR024TRPBF
IRLR024TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK
型号：
NTD20N06LT4G
仓库库存编号：
NTD20N06LT4GOSCT-ND
别名：NTD20N06LT4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） DPAK
型号：
NTD20N06T4G
仓库库存编号：
NTD20N06T4GOSCT-ND
别名：NTD20N06T4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
2N7000BU
仓库库存编号：
2N7000BU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA86551L
仓库库存编号：
FDMA86551LCT-ND
别名：FDMA86551LCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C673NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C673NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C673NLTAGOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 400mW（Ta），1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2222LL-G
仓库库存编号：
VN2222LL-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N06N3 G
仓库库存编号：
IPD088N06N3 GCT-ND
别名：IPD088N06N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y7R2-60E,115
仓库库存编号：
1727-1814-1-ND
别名：1727-1814-1
568-11428-1
568-11428-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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