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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD035N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD035N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD035N06L3 GCT
  IPD035N06L3 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C1R8-60EJ
  仓库库存编号：BUK7C1R8-60EJ-ND
  别名：934067491118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7-DDPAK
  
  型号：BUK7C2R2-60EJ
  仓库库存编号：BUK7C2R2-60EJ-ND
  别名：934067492118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C2R2-60EJ
  仓库库存编号：BUK9C2R2-60EJ-ND
  别名：934067485118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN3R9-60XSQ
  仓库库存编号：568-11430-5-ND
  别名：568-11430-5
  934068135127
  PSMN3R9-60XSQ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3206TRL
  仓库库存编号：AUIRFS3206TRLCT-ND
  别名：AUIRFS3206TRLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 51.5A（Tc） 46W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：PSMN7R6-60XSQ
  仓库库存编号：568-12475-ND
  别名：568-12475
  934069171127
  PSMN7R6-60XS,127
  PSMN7R6-60XSQ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S4L30ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
  别名：IPD25N06S4L-30CT
  IPD25N06S4L-30CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S415ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S415ATMA1-ND
  别名：SP000705490
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L14ATMA1-ND
  别名：SP000705540
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S402AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S402AKSA2-ND
  别名：SP001028774
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA2
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA2-ND
  别名：SP001028750
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 50W（Tc）
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
  
  型号：64-0055PBF
  仓库库存编号：64-0055PBF-ND
  别名：SP001553580
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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