以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB048N06LGATMA1
  仓库库存编号：IPB048N06LGATMA1CT-ND
  别名：IPB048N06LG
  IPB048N06LGINCT
  IPB048N06LGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB070N06L G
  仓库库存编号：IPB070N06LGINCT-ND
  别名：IPB070N06LG
  IPB070N06LGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB085N06L G
  仓库库存编号：IPB085N06LGINCT-ND
  别名：IPB085N06LG
  IPB085N06LGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB110N06L G
  仓库库存编号：IPB110N06LGINCT-ND
  别名：IPB110N06LG
  IPB110N06LGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N06N G
  仓库库存编号：IPB120N06NGINCT-ND
  别名：IPB120N06NG
  IPB120N06NGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD144N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD144N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD144N06NG
  IPD144N06NGINCT
  IPD144N06NGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD640N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD640N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD640N06LGINCT
  IPD640N06LGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD800N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD800N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD800N06NG
  IPD800N06NGINCT
  IPD800N06NGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6327
  仓库库存编号：SN7002WE6327INCT-ND
  别名：SN7002WE6327INCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P
  仓库库存编号：SPD18P06PINCT-ND
  别名：SPD18P06PINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP318SL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP318SL6327
  BSP318SL6327INCT
  BSP318SL6327INCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VZSTRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ44VZSTRRPBF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1018ESLPBF
  仓库库存编号：IRF1018ESLPBF-ND
  别名：SP001550908
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 56A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU1018EPBF
  仓库库存编号：IRFU1018EPBF-ND
  别名：SP001565188
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3806PBF
  仓库库存编号：IRFU3806PBF-ND
  别名：SP001552424
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13.4A（Ta），67A（Tc） 3.6W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6674TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6674TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6674TR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7478QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7478QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7478QTRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48VSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ48VSTRLPBF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BS7067N06LS3G
  仓库库存编号：BS7067N06LS3GINCT-ND
  别名：BS7067N06LS3GINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002T,215
  仓库库存编号：2N7002T,215-ND
  别名：2N7002T T/R
  2N7002T T/R-ND
  934055796215
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002 L6327
  仓库库存编号：2N7002 L6327-ND
  别名：2N7002L6327HTSA1
  SP000408440
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：2N7002DW L6327
  仓库库存编号：2N7002DW L6327-ND
  别名：SP000408436
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR315PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR315P L6327
  BSR315P L6327-ND
  SP000265405
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 
  
  无铅
• 搜索