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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 52A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP52N06T,127
  仓库库存编号：PHP52N06T,127-ND
  别名：934056885127
  PHP52N06T
  PHP52N06T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 73A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP73N06T,127
  仓库库存编号：PHP73N06T,127-ND
  别名：934056646127
  PHP73N06T
  PHP73N06T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 550mA（Ta） 530mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR780SN,115
  仓库库存编号：PMR780SN,115-ND
  别名：934057961115
  PMR780SN T/R
  PMR780SN T/R-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN004-60P,127
  仓库库存编号：PSMN004-60P,127-ND
  别名：934057040127
  PSMN004-60P
  PSMN004-60P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6648TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6648TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6648TR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 300mA（Tc） 830mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000,126
  仓库库存编号：2N7000,126-ND
  别名：2N7000 AMO
  2N7000 AMO-ND
  934003460126
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO613SPV
  仓库库存编号：BSO613SPV-ND
  别名：BSO613SPVT
  SP000012847
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318S E6327
  仓库库存编号：BSP318S E6327-ND
  别名：BSP318SE6327T
  SP000011112
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6327
  仓库库存编号：BSP320S E6327-ND
  别名：BSP320SE6327T
  SP000011115
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6433
  仓库库存编号：BSP320S E6433-ND
  别名：BSP320SE6433T
  SP000011116
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613P
  仓库库存编号：BSP613P-ND
  别名：BSP613PT
  SP000012301
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS138N E6433
  仓库库存编号：BSS138N E6433-ND
  别名：BSS138NE6433XT
  SP000014561
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS138N E6908
  仓库库存编号：BSS138N E6908-ND
  别名：BSS138NE6908T
  SP000014564
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS138N E7854
  仓库库存编号：BSS138N E7854-ND
  别名：BSS138NE7854XT
  SP000014562
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS138N E8004
  仓库库存编号：BSS138N E8004-ND
  别名：BSS138NE8004XT
  SP000014563
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6433
  仓库库存编号：BSS138W E6433-ND
  别名：BSS138WE6433
  SP000014284
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159N E6327
  仓库库存编号：BSS159N E6327-ND
  别名：BSS159NE6327XT
  SP000014638
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159N E6906
  仓库库存编号：BSS159N E6906-ND
  别名：BSS159NE6906XT
  SP000055412
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84P E6433
  仓库库存编号：BSS84P E6433-ND
  别名：BSS84PE6433XT
  SP000012323
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113ANKSA1
  仓库库存编号：BTS113ANKSA1-ND
  别名：BTS113A
  BTS113A-ND
  SP000011187
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS113AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS113A E3045A
  BTS113A E3045A-ND
  BTS113AE3045AT
  SP000011188
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113AE3064NKSA1
  仓库库存编号：BTS113AE3064NKSA1-ND
  别名：BTS113A E3064
  BTS113A E3064-ND
  BTS113AE3064
  SP000011189
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB065N06L G
  仓库库存编号：IPB065N06L G-ND
  别名：IPB063N06LGXT
  IPB065N06LGXT
  SP000204183
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD230N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD230N06NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD230N06N G
  IPD230N06N G-ND
  IPD230N06NGXT
  SP000204196
  SP000450200
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N06L G
  仓库库存编号：IPP048N06LGIN-ND
  别名：IPP048N06L G-ND
  IPP048N06LGIN
  IPP048N06LGX
  IPP048N06LGXK
  SP000204180
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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