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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：2N7002_D87Z
  仓库库存编号：2N7002_D87ZCT-ND
  别名：2N7002_D87ZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236
  
  型号：2N7002-E3
  仓库库存编号：2N7002-E3CT-ND
  别名：2N7002-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：2N7002DWA-7
  仓库库存编号：2N7002DWA-7DICT-ND
  别名：2N7002DWA-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount V-DFN3030-8
  
  型号：DMC6070LFDH-7
  仓库库存编号：DMC6070LFDH-7DICT-ND
  别名：DMC6070LFDH-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-263
  
  型号：N0601N-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：N0601N-ZK-E1-AY-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY12N06TTRL
  仓库库存编号：IXTY12N06TTRLCT-ND
  别名：IXTY12N06TTRLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12.9A（Tc） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB40SNA,115
  仓库库存编号：568-10446-1-ND
  别名：568-10446-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 190mA（Ta） 265mW（Ta），1.33W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX7002AKAR
  仓库库存编号：1727-1290-1-ND
  别名：1727-1290-1
  568-10511-1
  568-10511-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 650mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB790SN,315
  仓库库存编号：568-10846-1-ND
  别名：568-10846-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-2
  仓库库存编号：2N6660-2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-E3
  仓库库存编号：2N6660-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTVP02
  仓库库存编号：2N6660JTVP02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTX02
  仓库库存编号：2N6660JTX02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXL02
  仓库库存编号：2N6660JTXL02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXP02
  仓库库存编号：2N6660JTXP02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXV02
  仓库库存编号：2N6660JTXV02-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD113
  仓库库存编号：IRFD113-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ962EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ962EP-T1-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-GE3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-GE3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 260mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF3800SN,115
  仓库库存编号：568-11275-1-ND
  别名：568-11275-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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