规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E2R3-40E,127
仓库库存编号:
568-9871-5-ND
别名:568-9871-5
934066413127
BUK9E2R340E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R2-40E,127
仓库库存编号:
568-9873-5-ND
别名:568-9873-5
934066414127
BUK9E3R240E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E8R5-40E,127
仓库库存编号:
568-9878-5-ND
别名:568-9878-5
934066415127
BUK9E8R540E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E1R8-40E,127
仓库库存编号:
BUK9E1R8-40E,127-ND
别名:934066586127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSZ023N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ023N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ023N04LS-ND
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 78W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7446TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7446TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7446TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7440TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7440TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7440TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7484Q
仓库库存编号:
AUIRF7484Q-ND
别名:SP001517960
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7437GPBF
仓库库存编号:
IRFB7437GPBF-ND
别名:SP001575504
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),184A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7738L2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7738L2TRPBFTR-ND
别名:IRF7738L2TRPBFTR
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 31A(Ta),156A(Tc) 3.3W(Ta),83W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7737L2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7737L2TRPBFTR-ND
别名:IRF7737L2TRPBFTR
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V D2PAK(7-Lead)
型号:
BUK7C1R2-40EJ
仓库库存编号:
BUK7C1R2-40EJ-ND
别名:934067488118
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V D2PAK(7-Lead)
型号:
BUK7C1R4-40EJ
仓库库存编号:
BUK7C1R4-40EJ-ND
别名:934067489118
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V TO-220AB
型号:
BUK951R8-40EQ
仓库库存编号:
BUK951R8-40EQ-ND
别名:934067634127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 123A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8403
仓库库存编号:
IRAUIRFS8403-ND
别名:IRAUIRFS8403
SP001518060
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-ND
别名:IRAUIRFS8408
SP001521164
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408-7P
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-7P-ND
别名:IRAUIRFS8408-7P
SP001518804
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8409
仓库库存编号:
IRAUIRFS8409-ND
别名:IRAUIRFS8409
SP001517498
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401
仓库库存编号:
IRAUIRFR8401-ND
别名:IRAUIRFR8401
SP001518132
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 99W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8403
仓库库存编号:
IRAUIRFR8403-ND
别名:IRAUIRFR8403
SP001517580
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 163W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8405
仓库库存编号:
IRAUIRFR8405-ND
别名:IRAUIRFR8405
SP001519800
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 98W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRFR7446PBF
仓库库存编号:
IRFR7446PBF-ND
别名:SP001576132
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 190A(Tc) D2PAK
型号:
BUK9C1R3-40EJ
仓库库存编号:
BUK9C1R3-40EJ-ND
别名:934067866118
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号:
BUK761R5-40EJ-ND
别名:934067767118
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFSL7437TRLPBF-ND
别名:SP001567740
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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