规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB022N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB022N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 96W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF7946TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7946TR1PBFCT-ND
别名:IRF7946TR1PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7004TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7004TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7004TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1404S
仓库库存编号:
AUIRF1404S-ND
别名:SP001522616
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3504
仓库库存编号:
AUIRFR3504-ND
别名:SP001517376
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFS3004
仓库库存编号:
AUIRFS3004-ND
别名:SP001522180
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK-7
型号:
AUIRFS3004-7P
仓库库存编号:
AUIRFS3004-7P-ND
别名:SP001521206
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRL1404S
仓库库存编号:
AUIRL1404S-ND
别名:SP001516830
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3114Z
仓库库存编号:
AUIRLR3114Z-ND
别名:SP001517704
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3034
仓库库存编号:
AUIRLS3034-ND
别名:SP001521846
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3034-7P
仓库库存编号:
AUIRLS3034-7P-ND
别名:AUIRLS30347P
SP001518970
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 143W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLS3114Z
仓库库存编号:
AUIRLS3114Z-ND
别名:SP001516760
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF4104GPBF
仓库库存编号:
IRF4104GPBF-ND
别名:SP001571350
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R3-40E,127
仓库库存编号:
568-9861-5-ND
别名:568-9861-5
934066419127
BUK952R340E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R2-40E,127
仓库库存编号:
568-9863-5-ND
别名:568-9863-5
934066421127
BUK953R240E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK958R5-40E,127
仓库库存编号:
568-9867-5-ND
别名:568-9867-5
934066422127
BUK958R540E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V I2PAK
型号:
BUK9E1R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9870-5-ND
别名:568-9870-5
934066511127
BUK9E1R940E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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