规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504ZTRR
仓库库存编号：
IRFR3504ZTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504Z
仓库库存编号：
IRFU3504Z-ND
别名：*IRFU3504Z
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7484Q
仓库库存编号：
IRF7484Q-ND
别名：*IRF7484Q
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF4104L
仓库库存编号：
IRF4104L-ND
别名：*IRF4104L
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF4104S
仓库库存编号：
IRF4104S-ND
别名：*IRF4104S
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
64-8016
仓库库存编号：
64-8016-ND
别名：*IRL1404Z
IRL1404Z
IRL1404Z-ND
SP001517156
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404ZL
仓库库存编号：
IRL1404ZL-ND
别名：*IRL1404ZL
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7842TR
仓库库存编号：
IRF7842TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1404ZSTRL
仓库库存编号：
IRL1404ZSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404ZSTRL
仓库库存编号：
IRF1404ZSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404ZSTRR
仓库库存编号：
IRF1404ZSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4104TR
仓库库存编号：
IRFR4104TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4104TRL
仓库库存编号：
IRFR4104TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4104TRR
仓库库存编号：
IRFR4104TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） TO-262
型号：
64-2042
仓库库存编号：
64-2042-ND
别名：*IRF1404ZL
IRF1404ZL
IRF1404ZL-ND
SP001518170
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF4104
仓库库存编号：
IRF4104-ND
别名：*IRF4104
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF2804STRL-7P
仓库库存编号：
IRF2804STRL-7P-ND
别名：*IRF2804S-7P
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P-ND
SP001564686
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6613TR1
仓库库存编号：
IRF6613TR1CT-ND
别名：*IRF6613TR1
IRF6613TR1CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 30A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504PBF
仓库库存编号：
IRFU3504PBF-ND
别名：*IRFU3504PBF
SP001568168
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4104PBF
仓库库存编号：
IRFU4104PBF-ND
别名：*IRFU4104PBF
SP001578370
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 170A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 170A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF2204LPBF
仓库库存编号：
IRF2204LPBF-ND
别名：*IRF2204LPBF
SP001574580
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104SPBF
仓库库存编号：
IRL1104SPBF-ND
别名：*IRL1104SPBF
SP001568256
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 104A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1104PBF
仓库库存编号：
IRL1104PBF-ND
别名：*IRL1104PBF
SP001552524
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） TO-262
型号：
IRL1104LPBF
仓库库存编号：
IRL1104LPBF-ND
别名：*IRL1104LPBF
SP001573746
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404LPBF
仓库库存编号：
IRL1404LPBF-ND
别名：*IRL1404LPBF
SP001557926
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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