规格:漏源电压(Vdss) 40V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1880)
分立半导体产品
(1880)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(63)
Central Semiconductor Corp(5)
Diodes Incorporated(107)
EPC(16)
Fairchild/Micross Components(243)
Fairchild/ON Semiconductor(57)
Infineon Technologies(531)
IXYS(39)
Kionix Inc.(1)
Microchip Technology(15)
Microsemi Corporation(3)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(20)
Nexperia USA Inc.(139)
NXP USA Inc.(64)
ON Semiconductor(59)
Panasonic - ATG(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(64)
Rohm Semiconductor(7)
Sanken(18)
STMicroelectronics(98)
Taiwan Semiconductor Corporation(21)
Texas Instruments(16)
Toshiba Semiconductor and Storage(43)
Trinamic Motion Control GmbH(1)
Vishay BC Components(35)
Vishay Beyschlag(96)
Vishay Electro-Films(42)
Vishay Huntington Electric Inc.(16)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Semiconductor Opto Division(9)
Vishay Sfernice(9)
Vishay Siliconix(26)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Ta) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
BXL4004-1E
仓库库存编号:
BXL4004-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
94-2110
仓库库存编号:
94-2110-ND
别名:*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104S
仓库库存编号:
IRL1104S-ND
别名:*IRL1104S
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7468
仓库库存编号:
IRF7468-ND
别名:*IRF7468
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 206A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1404P
仓库库存编号:
IRFBA1404P-ND
别名:*IRFBA1404P
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 185A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA1304
仓库库存编号:
IRLBA1304-ND
别名:*IRLBA1304
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 185A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA1304P
仓库库存编号:
IRLBA1304P-ND
别名:*IRLBA1304P
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 185A(Tc) 300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRLBL1304
仓库库存编号:
IRLBL1304-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104
仓库库存编号:
IRL1104-ND
别名:*IRL1104
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1404L
仓库库存编号:
IRF1404L-ND
别名:*IRF1404L
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004L
仓库库存编号:
IRL1004L-ND
别名:*IRL1004L
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) TO-262
型号:
IRL1104L
仓库库存编号:
IRL1104L-ND
别名:*IRL1104L
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRF1104L
仓库库存编号:
IRF1104L-ND
别名:*IRF1104L
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104S
仓库库存编号:
IRF1104S-ND
别名:*IRF1104S
SP001563014
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104STRL
仓库库存编号:
IRF1104STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 2.4W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1104STRR
仓库库存编号:
IRF1104STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404STRR
仓库库存编号:
IRF1404STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7468TR
仓库库存编号:
IRF7468TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRL
仓库库存编号:
IRL1004STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRR
仓库库存编号:
IRL1004STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRL
仓库库存编号:
IRL1104STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRR
仓库库存编号:
IRL1104STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241
仓库库存编号:
IRF7241-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
搜索
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号