规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 221W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7108-40AIE,118
仓库库存编号:
568-9629-1-ND
别名:568-9629-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 24A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4240
仓库库存编号:
785-1462-1-ND
别名:785-1462-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7234-ND
别名:1727-7234
568-9838-5
568-9838-5-ND
934066479127
BUK751R840E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7239-ND
别名:1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK968R3-40E,118
仓库库存编号:
568-9893-1-ND
别名:568-9893-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 288W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R6-40YLC,115
仓库库存编号:
1727-7277-1-ND
别名:1727-7277-1
568-9907-1
568-9907-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),32A(Tc) 4.2W(Ta),35.7W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6442
仓库库存编号:
785-1600-1-ND
别名:785-1600-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR640DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR640DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR640DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N04-10A-E3
仓库库存编号:
SUD40N04-10A-E3CT-ND
别名:SUD40N04-10A-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 60A(Tc) 3W(Ta),93.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-13L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-13L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-13L-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4942DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4942DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4942DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4401DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4401DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Tc) 25W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN023-40YLCX
仓库库存编号:
568-10157-1-ND
别名:568-10157-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R7-40E,118
仓库库存编号:
568-10248-1-ND
别名:568-10248-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R1-40E,118
仓库库存编号:
568-10249-1-ND
别名:568-10249-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Ta) 1.5W(Ta),119W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
N0413N-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
N0413N-ZK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-263
型号:
NP100N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP100N04PUK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP109N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-3
型号:
NP110N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N04TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N04TUK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUK-S18-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262-3
型号:
NP60N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04NUK-S18-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP60N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04VUK-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP88N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N04KUG-E1-AY-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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