规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5835NLR2G
仓库库存编号：
NTMS5835NLR2GOSCT-ND
别名：NTMS5835NLR2GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5838NLR2G
仓库库存编号：
NTMS5838NLR2GOSCT-ND
别名：NTMS5838NLR2GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD50N04-09H-GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-09H-GE3CT-ND
别名：SQD50N04-09H-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
型号：
ATP107-TL-H
仓库库存编号：
ATP107-TL-H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3
详细描述：JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
型号：
EC3A03B-TL-H
仓库库存编号：
EC3A03B-TL-H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号：
ECH8662-TL-H
仓库库存编号：
ECH8662-TL-H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 40V 60A（Ta） 1W（Ta），84W（Tc） TO-251（MP-3）
型号：
2SK3813-AZ
仓库库存编号：
2SK3813-AZ-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
型号：
NP110N04PUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP110N04PUG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP15P04SLG-E1-AY
仓库库存编号：
NP15P04SLG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TDG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TUG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TUJ-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUJ-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP20P04SLG-E1-AY
仓库库存编号：
NP20P04SLG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
型号：
NP36P04KDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP36P04KDG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
型号：
NP50P04KDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP50P04KDG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
型号：
NP60N04KUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP60N04KUG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-220
型号：
NP60N04MUG-S18-AY
仓库库存编号：
NP60N04MUG-S18-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
型号：
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号：
NP80N04KHE-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-262
型号：
NP82N04NUG-S18-AY
仓库库存编号：
NP82N04NUG-S18-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
型号：
NP82N04PDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP82N04PDG-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号：
NP88N04NUG-S18-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），217W（Tc） TO-220-3
型号：
NP90N04MUG-S18-AY
仓库库存编号：
NP90N04MUG-S18-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名：TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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