规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NLTT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NLTT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
型号：
N0412N-S19-AY
仓库库存编号：
N0412N-S19-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2169H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2169H-EL-E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2170H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2170H-EL-E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NLTWFT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NLTWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NAFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
型号：
NVB5404NT4G
仓库库存编号：
NVB5404NT4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8052-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCA8052-H(TE12LQMCT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB9406_F085
仓库库存编号：
FDB9406_F085CT-ND
别名：FDB9406_F085CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M8_GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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Sanken
MOSFET N-CH 40V TO-220S
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Ta） 80W（Tc） TO-220S
型号：
2SK3800VL
仓库库存编号：
2SK3800VL-ND
别名：2SK3800VL DK
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V TO-220S
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Ta） 80W（Tc） TO-220S
型号：
2SK3800VR
仓库库存编号：
2SK3800VR-ND
别名：2SK3800VR DK
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V TO-220S
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Ta） 80W（Tc） TO-220S
型号：
2SK3800
仓库库存编号：
2SK3800-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NWFAFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56
型号：
FDMS8350LET40
仓库库存编号：
FDMS8350LET40-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA100N04T2
仓库库存编号：
IXTA100N04T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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