规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 65W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S405ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S405ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P413ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P413ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P413ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 158W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-5526-1-ND
别名:1727-5526-1
568-7005-1
568-7005-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S3-03
仓库库存编号:
IPB100N04S303ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S3-03CT
IPB100N04S3-03CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5104TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5104TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5104TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R8-40YLC,115
仓库库存编号:
1727-1052-1-ND
别名:1727-1052-1
568-10156-1
568-10156-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFS7440TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7440TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7440TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P405ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P405ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-7253-1-ND
别名:1727-7253-1
568-9882-1
568-9882-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7437TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7437TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S402ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7118-1-ND
别名:1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S4H0ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1895-1-ND
别名:1727-1895-1
568-11628-1
568-11628-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名:AUIRF1404ZSTRLCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7C06-40AITE,118
仓库库存编号:
1727-7175-1-ND
别名:1727-7175-1
568-9660-1
568-9660-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7430TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7430TRL7PPCT-ND
别名:IRFS7430TRL7PPCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S302AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S302AKSA1-ND
别名:IPP120N04S3-02
IPP120N04S3-02-ND
IPP120N04S302
SP000261228
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7430GPBF
仓库库存编号:
IRFB7430GPBF-ND
别名:SP001554620
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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