规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 478A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRL40SC209
仓库库存编号：
IRL40SC209CT-ND
别名：IRL40SC209CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP160N4LF6
仓库库存编号：
497-15556-5-ND
别名：497-15556-5
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP2104N3-G
仓库库存编号：
TP2104N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 430mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP0604N3-G
仓库库存编号：
TP0604N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta），100A（Tc） 115W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18504KCS
仓库库存编号：
296-35578-5-ND
别名：296-35578-5
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2W（Ta），60W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP8447L
仓库库存编号：
FDP8447L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 1.9W（Ta），41W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF240L
仓库库存编号：
785-1384-5-ND
别名：785-1384-5
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA041N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPA041N04NGXKSA1-ND
别名：SP001191328
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 92W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8445
仓库库存编号：
FDB8445CT-ND
别名：FDB8445CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP039N04LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP039N04LGXKSA1-ND
别名：IPP039N04L G
IPP039N04L G-ND
IPP039N04LG
SP000680782
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18503KCS
仓库库存编号：
296-34974-5-ND
别名：296-34974-5
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP100N04T2
仓库库存编号：
IXTP100N04T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 202A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1404PBF
仓库库存编号：
IRF1404PBF-ND
别名：*IRF1404PBF
SP001561374
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP90N04-3M3P-GE3
仓库库存编号：
SUP90N04-3M3P-GE3-ND
别名：SUP90N04-3M3P-GE3CT
SUP90N04-3M3P-GE3CT-ND
SUP90N043M3PGE3
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7440PBF
仓库库存编号：
IRFB7440PBF-ND
别名：SP001566700
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF4104PBF
仓库库存编号：
IRF4104PBF-ND
别名：*IRF4104PBF
SP001554010
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1404ZPBF
仓库库存编号：
IRL1404ZPBF-ND
别名：*IRL1404ZPBF
64-0081PBF
64-0081PBF-ND
SP001576516
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7434PBF
仓库库存编号：
IRFB7434PBF-ND
别名：SP001575514
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1004PBF
仓库库存编号：
IRL1004PBF-ND
别名：*IRL1004PBF
SP001567104
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 306W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA8440
仓库库存编号：
FDA8440-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18513Q5AT
仓库库存编号：
296-45231-1-ND
别名：296-45231-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
不受无铅要求限制
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 104W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18511Q5AT
仓库库存编号：
296-45230-1-ND
别名：296-45230-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
型号：
DMTH4004SCTBQ-13
仓库库存编号：
DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
别名：DMTH4004SCTBQ-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD18510Q5BT
仓库库存编号：
296-46567-1-ND
别名：296-46567-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7446GPBF
仓库库存编号：
IRFB7446GPBF-ND
别名：SP001566710
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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