规格：漏源电压（Vdss） 40V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 523A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 523A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRFSA8409-7P
仓库库存编号：
AUIRFSA8409-7P-ND
别名：SP001520354
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH400N4F6-6
仓库库存编号：
497-14537-1-ND
别名：497-14537-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRLS8409-7P
仓库库存编号：
AUIRLS8409-7P-ND
别名：SP001521838
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 15W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P04-05-E3
仓库库存编号：
SUM110P04-05-E3CT-ND
别名：SUM110P04-05-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH320N4F6-2
仓库库存编号：
497-13875-1-ND
别名：497-13875-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH270N4F3-2
仓库库存编号：
497-13773-1-ND
别名：497-13773-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH320N4F6-6
仓库库存编号：
497-13838-1-ND
别名：497-13838-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0065N40
仓库库存编号：
FDBL0065N40CT-ND
别名：FDBL0065N40CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 460A
详细描述：表面贴装 N 沟道 460A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0105N407L
仓库库存编号：
FDB0105N407LCT-ND
别名：FDB0105N407LCT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV270N4F3
仓库库存编号：
497-7031-1-ND
别名：497-7031-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH360N4F6-2
仓库库存编号：
497-14535-1-ND
别名：497-14535-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH400N4F6-2
仓库库存编号：
497-14536-1-ND
别名：497-14536-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CH 40V 360MW TO-18
详细描述：JFET N-Channel 30mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18
型号：
JANTX2N4091
仓库库存编号：
1088-1013-ND
别名：1088-1013
1088-1013-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CH 40V 360MW TO-18
详细描述：JFET N-Channel 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18
型号：
JANTX2N4092
仓库库存编号：
1088-1014-ND
别名：1088-1014
1088-1014-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CH 40V 0.36W SMD
详细描述：JFET N-Channel 15mA @ 20V 360mW Surface Mount 4-SMD
型号：
JANTX2N4092UB
仓库库存编号：
1088-1015-ND
别名：1088-1015
1088-1015-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Microsemi Corporation
JFET N-CH 40V 0.36W SMD
详细描述：JFET N-Channel 8mA @ 20V 360mW Surface Mount UB
型号：
JANTX2N4093UB
仓库库存编号：
1088-1016-ND
别名：1088-1016
1088-1016-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 460mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV130ENEAR
仓库库存编号：
1727-2299-1-ND
别名：1727-2299-1
568-12585-1
568-12585-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 31W（Ta） LFPAK33
型号：
BUK9M52-40EX
仓库库存编号：
1727-7317-1-ND
别名：1727-7317-1
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 490mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65ENEAR
仓库库存编号：
1727-2535-1-ND
别名：1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M24-40EX
仓库库存编号：
1727-2576-1-ND
别名：1727-2576-1
568-13020-1
568-13020-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号：
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名：IRLH7134TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M9R1-40EX
仓库库存编号：
1727-2587-1-ND
别名：1727-2587-1
568-13031-1
568-13031-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名：IPD50N04S408ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 65W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y12-40E,115
仓库库存编号：
1727-1122-1-ND
别名：1727-1122-1
568-10277-1
568-10277-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8-32
型号：
IPZ40N04S58R4ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S58R4ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S58R4ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 40V,
无铅
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