规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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EPC
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
型号：
EPC2106ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2106ENGRCT-ND
别名：917-EPC2106ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS3992
仓库库存编号：
FDS3992CT-ND
别名：FDS3992CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号：
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名：IRFH5053TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7922DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7922DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7922DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名：IRF9510STRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB33N10LTM
仓库库存编号：
FQB33N10LTMCT-ND
别名：FQB33N10LTMCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9540NSTRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110PBF
仓库库存编号：
IRFD9110PBF-ND
别名：*IRFD9110PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD19537Q3T
仓库库存编号：
296-42632-1-ND
别名：296-42632-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU110PBF
仓库库存编号：
IRFU110PBF-ND
别名：*IRFU110PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110PBF
仓库库存编号：
IRLD110PBF-ND
别名：*IRLD110PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9510PBF
仓库库存编号：
IRF9510PBF-ND
别名：*IRF9510PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520PBF
仓库库存编号：
IRF9520PBF-ND
别名：*IRF9520PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9120PBF
仓库库存编号：
IRFD9120PBF-ND
别名：*IRFD9120PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU3410PBF
仓库库存编号：
IRLU3410PBF-ND
别名：*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510PBF
仓库库存编号：
IRF510PBF-ND
别名：*IRF510PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120PBF
仓库库存编号：
IRFD120PBF-ND
别名：*IRFD120PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0610N3-G
仓库库存编号：
TN0610N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB22P10TM
仓库库存编号：
FQB22P10TMCT-ND
别名：FQB22P10TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP12N10L
仓库库存编号：
RFP12N10L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540NPBF
仓库库存编号：
IRF540NPBF-ND
别名：*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI520NPBF
仓库库存编号：
IRLI520NPBF-ND
别名：*IRLI520NPBF
SP001576820
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD35N10-26P-GE3
仓库库存编号：
SUD35N10-26P-GE3CT-ND
别名：SUD35N10-26P-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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