规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150
仓库库存编号：
FDMS86150CT-ND
别名：FDMS86150CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号：
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名：SUM60N10-17-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86101DC
仓库库存编号：
FDMS86101DCCT-ND
别名：FDMS86101DCCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540PBF
仓库库存编号：
IRF540PBF-ND
别名：*IRF540PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB290L
仓库库存编号：
785-1329-1-ND
别名：785-1329-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL540PBF
仓库库存编号：
IRL540PBF-ND
别名：*IRL540PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号：
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名：SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF10L
仓库库存编号：
497-6741-5-ND
别名：497-6741-5
STP40NF10L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN5R6-100PS,127
仓库库存编号：
1727-4283-ND
别名：1727-4283
568-4972-5
568-4972-5-ND
934064274127
PSMN5R6100PS127
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001C
仓库库存编号：
917-1079-1-ND
别名：917-1079-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8010
仓库库存编号：
917-1086-1-ND
别名：917-1086-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH315N10F7-6
仓库库存编号：
497-14719-1-ND
别名：497-14719-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB035N10A
仓库库存编号：
FDB035N10ACT-ND
别名：FDB035N10ACT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001
仓库库存编号：
917-1014-1-ND
别名：917-1014-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001
仓库库存编号：
917-1014-6-ND
别名：917-1014-6
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
型号：
EPC2032
仓库库存编号：
917-1126-1-ND
别名：917-1126-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19536KTTT
仓库库存编号：
296-41136-1-ND
别名：296-41136-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19536KCS
仓库库存编号：
296-37289-5-ND
别名：296-37289-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
库存产品核实请求
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EPC
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2022
仓库库存编号：
917-1133-1-ND
别名：917-1133-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
型号：
STP315N10F7
仓库库存编号：
497-14717-5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ52P10P
仓库库存编号：
IXTQ52P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH200N10T
仓库库存编号：
IXTH200N10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH90P10P
仓库库存编号：
IXTH90P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tj） 360mW（Tc） TO-39
型号：
VN2210N2
仓库库存编号：
VN2210N2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH320N10T2
仓库库存编号：
IXFH320N10T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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