规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3672
仓库库存编号：
FDS3672CT-ND
别名：FDS3672CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
型号：
FDMC86102LZ
仓库库存编号：
FDMC86102LZCT-ND
别名：FDMC86102LZCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS892DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ488EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC86139P
仓库库存编号：
FDMC86139PCT-ND
别名：FDMC86139PCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7113DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7113DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7113DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7456DP-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS86101
仓库库存编号：
FDMS86101CT-ND
别名：FDMS86101CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），44A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD3672
仓库库存编号：
FDD3672CT-ND
别名：FDD3672CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
型号：
TPW4R50ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPW4R50ANHL1QCT-ND
别名：TPW4R50ANHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
PSMN025-100D,118
仓库库存编号：
1727-6295-1-ND
别名：1727-6295-1
568-8113-1
568-8113-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP10A18GTA
仓库库存编号：
ZXMP10A18GCT-ND
别名：ZXMP10A18GCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
型号：
EPC2007C
仓库库存编号：
917-1081-1-ND
别名：917-1081-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520PBF
仓库库存编号：
IRF520PBF-ND
别名：*IRF520PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7178DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19531Q5AT
仓库库存编号：
296-37749-1-ND
别名：296-37749-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
库存产品核实请求
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 157W（Tc） DPAK+
型号：
TK55S10N1,LQ
仓库库存编号：
TK55S10N1LQCT-ND
别名：TK55S10N1LQCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
STP24NF10
仓库库存编号：
497-3185-5-ND
别名：497-3185-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
型号：
FDMQ8403
仓库库存编号：
FDMQ8403CT-ND
别名：FDMQ8403CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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