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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI15P12TU
  仓库库存编号：FQI15P12TU-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB15P12TM
  仓库库存编号：FQB15P12TM-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF32N12V2
  仓库库存编号：FQPF32N12V2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP32N12V2
  仓库库存编号：FQP32N12V2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI32N12V2TU
  仓库库存编号：FQI32N12V2TU-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 32A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB32N12V2TM
  仓库库存编号：FQB32N12V2TM-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 88A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：TK42E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK42E12N1S1X-ND
  别名：TK42E12N1S1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS110N12N3GBKMA1
  仓库库存编号：IPS110N12N3GBKMA1-ND
  别名：IPS110N12N3 G
  IPS110N12N3 G-ND
  IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
  SP000674456
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GBUMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3 GCT
  IPD110N12N3 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSC240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSC240N12NS3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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