规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
型号：
IXTT48P20P
仓库库存编号：
IXTT48P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 1150W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK170N20T
仓库库存编号：
IXFK170N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX90P20P
仓库库存编号：
IXTX90P20P-ND
别名：620108
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK90N20
仓库库存编号：
IXFK90N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5801TRPBF
仓库库存编号：
IRF5801TRPBFCT-ND
别名：IRF5801TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL210TRPBF
仓库库存编号：
IRFL210TRPBFCT-ND
别名：*IRFL210TRPBF
IRFL210PBFCT
IRFL210PBFCT-ND
IRFL210TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC22DN20NS3 GCT-ND
别名：BSC22DN20NS3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名：IRFR9N20DTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名：BSC12DN20NS3GCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TRPBF
仓库库存编号：
IRF7450PBFCT-ND
别名：*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ900N20NS3 G
仓库库存编号：
BSZ900N20NS3GCT-ND
别名：BSZ900N20NS3GCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF630NSTRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR15N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR15N20DTRPBFCT-ND
别名：IRFR15N20DTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9210PBF
仓库库存编号：
IRFD9210PBF-ND
别名：*IRFD9210PBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220NPBF
仓库库存编号：
IRFU220NPBF-ND
别名：*IRFU220NPBF
SP001567710
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF630NPBF
仓库库存编号：
IRF630NPBF-ND
别名：*IRF630NPBF
SP001564792
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP10N20C
仓库库存编号：
FQP10N20C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF200B211
仓库库存编号：
IRF200B211-ND
别名：SP001561622
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G
仓库库存编号：
TN0620N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP18N20F
仓库库存编号：
FDP18N20F-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220PBF
仓库库存编号：
IRFU9220PBF-ND
别名：*IRFU9220PBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF620SPBF
仓库库存编号：
IRF620SPBF-ND
别名：*IRF620SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 417W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP61N20
仓库库存编号：
FDP61N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP320N20N3 G
仓库库存编号：
IPP320N20N3 G-ND
别名：IPP320N20N3G
IPP320N20N3GXKSA1
SP000677842
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号：
IRFI4020H-117P
仓库库存编号：
IRFI4020H-117P-ND
别名：IRFI4020H117P
SP001556636
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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