规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9210
仓库库存编号:
IRFU9210-ND
别名:*IRFU9210
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9220
仓库库存编号:
IRFU9220-ND
别名:*IRFU9220
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL620
仓库库存编号:
IRL620-ND
别名:*IRL620
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620S
仓库库存编号:
IRL620S-ND
别名:*IRL620S
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL630
仓库库存编号:
IRL630-ND
别名:*IRL630
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630S
仓库库存编号:
IRL630S-ND
别名:*IRL630S
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRL
仓库库存编号:
IRL630STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL640
仓库库存编号:
IRL640-ND
别名:*IRL640
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640S
仓库库存编号:
IRL640S-ND
别名:*IRL640S
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630G
仓库库存编号:
IRLI630G-ND
别名:*IRLI630G
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640G
仓库库存编号:
IRLI640G-ND
别名:*IRLI640G
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF620L
仓库库存编号:
IRF620L-ND
别名:*IRF620L
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRL
仓库库存编号:
IRF620STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRR
仓库库存编号:
IRF620STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRF640L
仓库库存编号:
IRF640L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRL
仓库库存编号:
IRF640STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRR
仓库库存编号:
IRF640STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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