规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP240PBF
仓库库存编号：
IRFP240PBF-ND
别名：*IRFP240PBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NF20
仓库库存编号：
497-5811-5-ND
别名：497-5811-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30NF20
仓库库存编号：
497-5825-5-ND
别名：497-5825-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW75NF20
仓库库存编号：
497-5959-5-ND
别名：497-5959-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF20
仓库库存编号：
497-5806-5-ND
别名：497-5806-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 模具剖面（7 焊条）
型号：
EPC2010C
仓库库存编号：
917-1085-1-ND
别名：917-1085-1
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW40NF20
仓库库存编号：
497-5807-5-ND
别名：497-5807-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
型号：
EPC2034
仓库库存编号：
917-1132-1-ND
别名：917-1132-1
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NF20
仓库库存编号：
497-5958-5-ND
别名：497-5958-5
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA26P20P
仓库库存编号：
IXTA26P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP26P20P
仓库库存编号：
IXTP26P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
详细描述：Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
型号：
TC8020K6-G
仓库库存编号：
TC8020K6-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48P20P
仓库库存编号：
IXTH48P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH58N20
仓库库存编号：
IXFH58N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
型号：
IXTT16N20D2
仓库库存编号：
IXTT16N20D2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK90P20P
仓库库存编号：
IXTK90P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 230A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK230N20T
仓库库存编号：
IXFK230N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 220A（Tc） 1090W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN230N20T
仓库库存编号：
IXFN230N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 580mW（Ta），12.5W（Tc） SOT-89-3
型号：
BSS87,115
仓库库存编号：
1727-4936-1-ND
别名：1727-4936-1
568-6228-1
568-6228-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V SOT23F-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 137mA（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
ZXMP2120FFTA
仓库库存编号：
ZXMP2120FFCT-ND
别名：ZXMP2120FFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
FDD7N20TM
仓库库存编号：
FDD7N20TMCT-ND
别名：FDD7N20TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT4N20LTF
仓库库存编号：
FQT4N20LTFCT-ND
别名：FQT4N20LTFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220TRPBF
仓库库存编号：
IRFR220PBFCT-ND
别名：*IRFR220TRPBF
IRFR220PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVNL120GTA
仓库库存编号：
ZVNL120GCT-ND
别名：ZVNL120G
ZVNL120GCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9210TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9210PBFCT-ND
别名：*IRFR9210TRPBF
IRFR9210PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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