规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 200V 12A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX120N20
仓库库存编号：
RCX120N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.6A（Ta） 3.2W（Ta），70W（Tc） TO-252
型号：
FDD2670
仓库库存编号：
FDD2670CT-ND
别名：FDD2670CT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2520N8-G
仓库库存编号：
TP2520N8-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G-P002
仓库库存编号：
TN0620N3-G-P002-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G-P014
仓库库存编号：
TN0620N3-G-P014-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610GPBF
仓库库存编号：
IRFI9610GPBF-ND
别名：*IRFI9610GPBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PCH 500V 2A MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 2.15A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5P20RDTU
仓库库存编号：
FQPF5P20RDTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF610STRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRRPBF
仓库库存编号：
IRF610STRRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
型号：
TC2320TG-G
仓库库存编号：
TC2320TG-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2076DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2076DPA-00#J5A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2075DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2075DPA-00#J5A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 模具剖面（4 焊条）
型号：
EPC2012CENGR
仓库库存编号：
917-EPC2012CENGRCT-ND
别名：917-EPC2012CENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRLPBF
仓库库存编号：
IRL620STRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
型号：
2SK3003
仓库库存编号：
2SK3003-ND
别名：2SK3003 DK
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 15A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY15N20T
仓库库存编号：
IXTY15N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V Surface Mount 12-DFN (4x4)
型号：
TC7920K6-G
仓库库存编号：
TC7920K6-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号：
SUD19N20-90-T4-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15N20T
仓库库存编号：
IXTP15N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V Surface Mount 12-DFN (4x4)
型号：
TC8220K6-G
仓库库存编号：
TC8220K6-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRLPBF
仓库库存编号：
IRL630STRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRRPBF
仓库库存编号：
IRL630STRRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN150N20FU6
仓库库存编号：
RDN150N20FU6-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 200V LDTU FORM
详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF39N20TLDTU
仓库库存编号：
FDPF39N20TLDTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9640LPBF
仓库库存编号：
IRF9640LPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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