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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH2900ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH2900ENHL1QCT-ND
  别名：TPH2900ENHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12P20
  仓库库存编号：FQP12P20-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF20
  仓库库存编号：497-5812-5-ND
  别名：497-5812-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630SPBF
  仓库库存编号：IRL630SPBF-ND
  别名：*IRL630SPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4668PBF
  仓库库存编号：IRFP4668PBF-ND
  别名：AUXSNFP4668
  AUXSNFP4668-ND
  SP001572854
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS38N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS38N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS38N20DTRLPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP250MPBF
  仓库库存编号：IRFP250MPBF-ND
  别名：SP001566168
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB38N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB38N20DPBF-ND
  别名：*IRFB38N20DPBF
  SP001556010
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5620PBF
  仓库库存编号：IRFB5620PBF-ND
  别名：SP001565852
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI640GPBF
  仓库库存编号：IRLI640GPBF-ND
  别名：*IRLI640GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMP26-02P
  仓库库存编号：FMP26-02P-ND
  别名：FMP2602P
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 115A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N20P
  仓库库存编号：IXFN140N20P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7464DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N20Q3
  仓库库存编号：IXFH70N20Q3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P20P
  仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 580A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 580A（Tc） 2270W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20UM03FAG
  仓库库存编号：APTM20UM03FAG-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 14.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR618DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR618DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR618DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.6A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.6A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR624DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR624DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR624DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR616DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR616DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR616DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34.4A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR690DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR690DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR690DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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  MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.4A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR610DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR610DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR610DP-T1-RE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NF20
  仓库库存编号：497-7514-5-ND
  别名：497-7514-5
  STP19NF20-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN057-200B,118
  仓库库存编号：1727-4774-1-ND
  别名：1727-4774-1
  568-5952-1
  568-5952-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM90140E-GE3
  仓库库存编号：SUM90140E-GE3CT-ND
  别名：SUM90140E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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