规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH24P20
仓库库存编号：
IXTH24P20-ND
别名：Q1163049
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK140N20P
仓库库存编号：
IXFK140N20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 106A（Tc） 521W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN106N20
仓库库存编号：
IXFN106N20-ND
别名：460915
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN120N20
仓库库存编号：
IXFN120N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN180N20
仓库库存编号：
IXFN180N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX081N20
仓库库存编号：
RCX081N20-ND
别名：RCX081N20CT
RCX081N20CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640NPBF
仓库库存编号：
IRF640NPBF-ND
别名：*IRF640NPBF
SP001570078
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF19N20C
仓库库存编号：
FQPF19N20C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9220PBF
仓库库存编号：
IRFD9220PBF-ND
别名：*IRFD9220PBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
TP0620N3-G
仓库库存编号：
TP0620N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19.4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP19N20
仓库库存编号：
FQP19N20FS-ND
别名：FQP19N20-ND
FQP19N20FS
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640SPBF
仓库库存编号：
IRL640SPBF-ND
别名：*IRL640SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
型号：
IRF640NLPBF
仓库库存编号：
IRF640NLPBF-ND
别名：*IRF640NLPBF
SP001563296
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610SPBF
仓库库存编号：
IRF610SPBF-ND
别名：*IRF610SPBF
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP34N20
仓库库存编号：
FQP34N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB31N20DPBF
仓库库存编号：
IRFB31N20DPBF-ND
别名：*IRFB31N20DPBF
SP001560192
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP250NPBF
仓库库存编号：
IRFP250NPBF-ND
别名：*IRFP250NPBF
SP001554946
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF32N20C
仓库库存编号：
FQPF32N20C-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4227PBF
仓库库存编号：
IRFI4227PBF-ND
别名：SP001564096
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP260MPBF
仓库库存编号：
IRFP260MPBF-ND
别名：SP001572874
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB260NPBF
仓库库存编号：
IRFB260NPBF-ND
别名：*IRFB260NPBF
SP001551726
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP48N20T
仓库库存编号：
IXTP48N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4227PBF
仓库库存编号：
IRFP4227PBF-ND
别名：SP001560510
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR48P20P
仓库库存编号：
IXTR48P20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK90N20Q
仓库库存编号：
IXFK90N20Q-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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