规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMP1022UFDF-7
仓库库存编号：
DMP1022UFDF-7DICT-ND
别名：DMP1022UFDF-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
型号：
RQ1A070ZPTR
仓库库存编号：
RQ1A070ZPCT-ND
别名：RQ1A070ZPTRCT
RQ1A070ZPTRCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7405BDN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） DFN2020-6J
型号：
MCM1208-TP
仓库库存编号：
MCM1208-TPMSCT-ND
别名：MCM1208-TPMSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA477EDJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
别名：SIA477EDJT-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3473CDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3473CDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3473CDV-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23280F3
仓库库存编号：
CSD23280F3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB40UNEZ
仓库库存编号：
PMXB40UNEZ-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） SOT-563/SCH6
型号：
SCH1331-TL-W
仓库库存编号：
SCH1331-TL-WOSCT-ND
别名：SCH1331-TL-WOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP1045U-7
仓库库存编号：
DMP1045U-7DI-ND
别名：DMP1045U-7DI
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 660mW SOT-363
型号：
DMP1055USW-13
仓库库存编号：
DMP1055USW-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 660mW SOT-363
型号：
DMP1055USW-7
仓库库存编号：
DMP1055USW-7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA
型号：
CSD13302W
仓库库存编号：
CSD13302W-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 900mW（Ta） 4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
型号：
SI8819EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8819EDB-T2-E1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3382-TL-W
仓库库存编号：
MCH3382-TL-WOSCT-ND
别名：MCH3382-TL-WOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
型号：
CPH3348-TL-W
仓库库存编号：
CPH3348-TL-WOSCT-ND
别名：CPH3348-TL-WOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
型号：
CSD13302WT
仓库库存编号：
CSD13302WT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.5W（Ta） SC-88FL/ MCPH6
型号：
MCH6320-TL-W
仓库库存编号：
MCH6320-TL-W-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 12V 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) 1.36W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMC1030UFDB-13
仓库库存编号：
DMC1030UFDB-13-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
型号：
CPH6337-TL-W
仓库库存编号：
CPH6337-TL-WOSCT-ND
别名：CPH6337-TL-WOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6336-TL-H
仓库库存编号：
MCH6336-TL-H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5.5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6353-TL-W
仓库库存编号：
MCH6353-TL-W-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.5W（Ta） SC-88FL/ MCPH6
型号：
MCH6336-TL-W
仓库库存编号：
MCH6336-TL-W-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMC1229UFDB-13
仓库库存编号：
DMC1229UFDB-13DITR-ND
别名：DMC1229UFDB-13DI
DMC1229UFDB-13DI-ND
DMC1229UFDB-13DITR
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
型号：
RAL035P01TCR
仓库库存编号：
RAL035P01TCR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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