规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta） 1.73W（Ta） TSOT-26
型号：
DMN1019UVT-7
仓库库存编号：
DMN1019UVT-7DICT-ND
别名：DMN1019UVT-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
型号：
RZL025P01TR
仓库库存编号：
RZL025P01CT-ND
别名：RZL025P01CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
型号：
US6J11TR
仓库库存编号：
US6J11CT-ND
别名：US6J11CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3447CDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3447CDV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
型号：
RT1A040ZPTR
仓库库存编号：
RT1A040ZPCT-ND
别名：RT1A040ZPCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS452DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名：IRLML6401GTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7410TRPBF
仓库库存编号：
IRF7410TRPBFCT-ND
别名：IRF7410TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP1022UFDE-7
仓库库存编号：
DMP1022UFDE-7DICT-ND
别名：DMP1022UFDE-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.7W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD13202Q2
仓库库存编号：
296-38911-1-ND
别名：296-38911-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA533EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA533EDJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3473CDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3473CDV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4838BDY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 2.4W（Ta），48W（Tc） Power33
型号：
FDMC610P
仓库库存编号：
FDMC610PCT-ND
别名：FDMC610PCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4838DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4838DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4838DY-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta）
型号：
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号：
DMP1045UFY4-7DICT-ND
别名：DMP1045UFY4-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
型号：
FDG6316P
仓库库存编号：
FDG6316PCT-ND
别名：FDG6316PCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2333CDS-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA908PZ
仓库库存编号：
FDMA908PZCT-ND
别名：FDMA908PZCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA517DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA517DJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RZR040P01TL
仓库库存编号：
RZR040P01TLCT-ND
别名：RZR040P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB15XP,115
仓库库存编号：
1727-1246-1-ND
别名：1727-1246-1
568-10453-1
568-10453-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5475DDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5475DDC-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1010-3
型号：
DMN1045UFR4-7
仓库库存编号：
DMN1045UFR4-7DICT-ND
别名：DMN1045UFR4-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA406DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA406DJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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