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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J13TR
  仓库库存编号：QS8J13CT-ND
  别名：QS8J13TRCT
  QS8J13TRCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMC1029UFDB-7
  仓库库存编号：DMC1029UFDB-7DICT-ND
  别名：DMC1029UFDB-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1W Surface Mount WMini8-F1
  
  型号：MTM684110LBF
  仓库库存编号：MTM684110LBFCT-ND
  别名：MTM684110LBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME905PT
  仓库库存编号：FDME905PTFSCT-ND
  别名：FDME905PTFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RZQ050P01TR
  仓库库存编号：RZQ050P01CT-ND
  别名：RZQ050P01CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC606P
  仓库库存编号：FDC606PCT-ND
  别名：FDC606PCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA413DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA413DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA413DJ-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
  详细描述：Mosfet Array 8 N-Channel, Common Gate, Common Source 12V 2A 660mW Surface Mount U-QFN1515-12
  
  型号：DMN1250UFEL-7
  仓库库存编号：DMN1250UFEL-7DICT-ND
  别名：DMN1250UFEL-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Tc） 4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4866BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4866BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4866BDY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ411EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ411EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc）
  
  型号：SI7102DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6913DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6913DQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6913DQ-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 317mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB65UPEZ
  仓库库存编号：1727-2177-1-ND
  别名：1727-2177-1
  568-12342-1
  568-12342-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V WLCSP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.7A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（2x2）
  
  型号：PMCM4401VNEAZ
  仓库库存编号：1727-2686-1-ND
  别名：1727-2686-1
  568-13205-1
  568-13205-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（2x2）
  
  型号：PMCM4401VPEZ
  仓库库存编号：1727-2687-1-ND
  别名：1727-2687-1
  568-13206-1
  568-13206-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（0.78x0.78）
  
  型号：PMCM440VNEZ
  仓库库存编号：1727-2274-1-ND
  别名：1727-2274-1
  568-12560-1
  568-12560-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB40UNE
  仓库库存编号：1727-1475-1-ND
  别名：1727-1475-1
  568-10946-1
  568-10946-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
  
  型号：PMCM6501VPEZ
  仓库库存编号：1727-2689-1-ND
  别名：1727-2689-1
  568-13208-1
  568-13208-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7476TRPBF
  仓库库存编号：IRF7476TRPBFCT-ND
  别名：IRF7476TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7410GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7410GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7410GTRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7420TRPBF
  仓库库存编号：IRF7420PBFCT-ND
  别名：*IRF7420TRPBF
  IRF7420PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7910TRPBF
  仓库库存编号：IRF7910TRPBFCT-ND
  别名：IRF7910TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7329TRPBF
  仓库库存编号：IRF7329PBFCT-ND
  别名：*IRF7329TRPBF
  IRF7329PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23381F4T
  仓库库存编号：296-37782-1-ND
  别名：296-37782-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN306P
  仓库库存编号：FDN306PCT-ND
  别名：FDN306P_F095CT
  FDN306P_F095CT-ND
  FDN306PCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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