规格：漏源电压（Vdss） 12V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(423)
分立半导体产品
(423)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(16)
Diodes Incorporated(44)
Fairchild/Micross Components(26)
Fairchild/ON Semiconductor(11)
Infineon Technologies(44)
Kionix Inc.(16)
Micro Commercial Co(5)
Nexperia USA Inc.(15)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(14)
Panasonic - ATG(2)
Panasonic Electronic Components(4)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(24)
STMicroelectronics(2)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Vishay BC Components(19)
Vishay Beyschlag(65)
Vishay Electro-Films(39)
Vishay Huntington Electric Inc.(14)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Sfernice(5)
Vishay Siliconix(13)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Sprague(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RZR020P01TL
仓库库存编号：
RZR020P01TLCT-ND
别名：RZR020P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
SI2333-TP
仓库库存编号：
SI2333-TPMSCT-ND
别名：SI2333-TPMSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RQ5A030APTL
仓库库存编号：
RQ5A030APTLCT-ND
别名：RQ5A030APTLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
型号：
RAF040P01TCL
仓库库存编号：
RAF040P01TCLCT-ND
别名：RAF040P01TCLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1A013ZPT2R
仓库库存编号：
RW1A013ZPT2RCT-ND
别名：RW1A013ZPT2RCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
型号：
RZF020P01TL
仓库库存编号：
RZF020P01TLCT-ND
别名：RZF020P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
型号：
TT8J13TCR
仓库库存编号：
TT8J13TCRCT-ND
别名：TT8J13TCRCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1A025APT2CR
仓库库存编号：
RW1A025APT2CRCT-ND
别名：RW1A025APT2CRCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2403
仓库库存编号：
785-1490-1-ND
别名：785-1490-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT6
型号：
RAL025P01TCR
仓库库存编号：
RAL025P01TCRCT-ND
别名：RAL025P01TCRCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 1.65W（Ta） 6-DSBGA
型号：
CSD13303W1015
仓库库存编号：
296-39990-1-ND
别名：296-39990-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 6A DFN202
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） DFN2020-6J
型号：
MCM1206-TP
仓库库存编号：
MCM1206-TPMSCT-ND
别名：MCM1206-TPMSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
型号：
MTM761110LBF
仓库库存编号：
MTM761110LBFCT-ND
别名：MTM761110LBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Surface Mount DFN2020-6U
型号：
MCMNP517-TP
仓库库存编号：
MCMNP517-TPMSCT-ND
别名：MCMNP517MSCT
MCMNP517MSCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-WCSPC（1.5x1.0）
型号：
SSM6K781G,LF
仓库库存编号：
SSM6K781GLFCT-ND
别名：SSM6K781GLFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA527DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA527DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA527DJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 9.5A, 6.9A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMC1017UPD-13
仓库库存编号：
DMC1017UPD-13DICT-ND
别名：DMC1017UPD-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1A020ZPT2R
仓库库存编号：
RW1A020ZPT2RCT-ND
别名：RW1A020ZPT2RCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
型号：
DMP1080UCB4-7
仓库库存编号：
DMP1080UCB4-7DICT-ND
别名：DMP1080UCB4-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta） 900mW（Ta） U-WLB1010-4
型号：
DMN1032UCB4-7
仓库库存编号：
DMN1032UCB4-7DICT-ND
别名：DMN1032UCB4-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J505NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J505NULFCT-ND
别名：SSM6J505NULFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA467EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA467EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA467EDJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 920mW（Ta） U-WLB1510-6
型号：
DMN1016UCB6-7
仓库库存编号：
DMN1016UCB6-7DICT-ND
别名：DMN1016UCB6-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc）
型号：
SI3447CDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3447CDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3447CDV-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta）
型号：
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2315BDS-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
