规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
型号：
SI8483DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8483DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8483DB-T2-E1CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13383F4T
仓库库存编号：
296-38621-1-ND
别名：296-38621-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
型号：
SI8457DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8457DB-T1-E1CT-ND
别名：SI8457DB-T1-E1CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA913ADJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA913ADJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
型号：
RZF030P01TL
仓库库存编号：
RZF030P01TLCT-ND
别名：RZF030P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 613mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
型号：
DMP1245UFCL-7
仓库库存编号：
DMP1245UFCL-7DICT-ND
别名：DMP1245UFCL-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
型号：
RZL035P01TR
仓库库存编号：
RZL035P01CT-ND
别名：RZL035P01CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5411EDU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5411EDU-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
型号：
CSD23202W10T
仓库库存编号：
296-38338-1-ND
别名：296-38338-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG330P
仓库库存编号：
FDG330PCT-ND
别名：FDG330PCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号：
QS8J1TR
仓库库存编号：
QS8J1CT-ND
别名：QS8J1CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR492DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 650mW（Ta） 8-TSST
型号：
RT1A045APTCR
仓库库存编号：
RT1A045APTCRCT-ND
别名：RT1A045APTCRCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RZQ045P01TR
仓库库存编号：
RZQ045P01CT-ND
别名：RZQ045P01CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 600mW（Ta） 8-TSST
型号：
RT1A050ZPTR
仓库库存编号：
RT1A050ZPCT-ND
别名：RT1A050ZPCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7858ADP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 500MA 0806
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 500mA（Tc） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
型号：
SIUD412ED-T1-GE3
仓库库存编号：
SIUD412ED-T1-GE3CT-ND
别名：SIUD412ED-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta）, 18W（Tc） DFN2020-6J
型号：
MCM1216-TP
仓库库存编号：
MCM1216-TPMSCT-ND
别名：MCM1216-TPMSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 14A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J511NULFCT-ND
别名：SSM6J511NULFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13380F3T
仓库库存编号：
296-45086-1-ND
别名：296-45086-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J132TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J132TULFCT-ND
别名：SSM3J132TULFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc）
型号：
SIB404DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB404DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB404DK-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 7.3A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
型号：
PMCM6501VNEZ
仓库库存编号：
1727-2688-1-ND
别名：1727-2688-1
568-13207-1
568-13207-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13385F5T
仓库库存编号：
296-45087-1-ND
别名：296-45087-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta），3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
型号：
DMP1081UCB4-7
仓库库存编号：
DMP1081UCB4-7DICT-ND
别名：DMP1081UCB4-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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