规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23280F3T
仓库库存编号：
296-44150-1-ND
别名：296-44150-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J512NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J512NULFCT-ND
别名：SSM6J512NULFCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1422DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1422DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1422DH-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB441EDK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB441EDK-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA447DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA447DJ-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2315ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2315ES-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
型号：
QS6J11TR
仓库库存编号：
QS6J11CT-ND
别名：QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3477DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3477DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3477DV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号：
FDC6318P
仓库库存编号：
FDC6318PCT-ND
别名：FDC6318PCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5406CDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5406CDC-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
型号：
CSD13306WT
仓库库存编号：
296-41134-1-ND
别名：296-41134-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 52W（Ta） TO-252
型号：
FDD306P
仓库库存编号：
FDD306PCT-ND
别名：FDD306PCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA905P
仓库库存编号：
FDMA905PFSCT-ND
别名：FDMA905PFSCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7858BDP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6423DQ-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7102DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR494DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7858ADP-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4866DY-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
型号：
RZF013P01TL
仓库库存编号：
RZF013P01TLCT-ND
别名：RZF013P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1A030APT2CR
仓库库存编号：
RW1A030APT2CRCT-ND
别名：RW1A030APT2CRCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMN1029UFDB-7
仓库库存编号：
DMN1029UFDB-7DICT-ND
别名：DMN1029UFDB-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号：
SI1965DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1965DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1965DH-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RZR025P01TL
仓库库存编号：
RZR025P01TLCT-ND
别名：RZR025P01TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23382F4T
仓库库存编号：
296-37874-1-ND
别名：296-37874-1
规格：漏源电压（Vdss） 12V,
无铅
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