规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(277)
分立半导体产品
(277)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(13)
Central Semiconductor Corp(3)
Diodes Incorporated(64)
Fairchild/Micross Components(7)
Infineon Technologies(77)
Kionix Inc.(56)
ON Semiconductor(8)
Panasonic Industrial Automation Sales(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(21)
STMicroelectronics(1)
Taiwan Semiconductor Corporation(12)
Torex Semiconductor Ltd(6)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(2)
Vishay Huntington Electric Inc.(1)
Vishay Sfernice(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS090N03FU6TB
仓库库存编号：
RSS090N03FU6TBCT-ND
别名：RSS090N03TBCT
RSS090N03TBCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.5A（Ta） 2W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3J351R,LF
仓库库存编号：
SSM3J351RLFCT-ND
别名：SSM3J351RLFCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGTR-ND
别名：TSM4806CS RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGCT-ND
别名：TSM4806CS RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4806CS RLG
仓库库存编号：
TSM4806CS RLGDKR-ND
别名：TSM4806CS RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGTR-ND
别名：TSM3457CX6 RFGTR
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGCT-ND
别名：TSM3457CX6 RFGCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3457CX6 RFGDKR-ND
别名：TSM3457CX6 RFGDKR
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RS3E075ATTB
仓库库存编号：
RS3E075ATTBCT-ND
别名：RS3E075ATTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6042SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH6042SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH6042SK3Q-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 80A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6012LK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH6012LK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH6012LK3Q-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH070P05GZETB
仓库库存编号：
RSH070P05GZETBCT-ND
别名：RSH070P05GZETBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL211SPH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL211SPH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL211SPH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
型号：
BSL307SPH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL307SPH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E080BNTB
仓库库存编号：
RQ3E080BNTBCT-ND
别名：RQ3E080BNTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130BNTB
仓库库存编号：
RQ3E130BNTBCT-ND
别名：RQ3E130BNTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E100BNTB
仓库库存编号：
RQ3E100BNTBCT-ND
别名：RQ3E100BNTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120BNTB
仓库库存编号：
RQ3E120BNTBCT-ND
别名：RQ3E120BNTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E160ADTB
仓库库存编号：
RQ3E160ADTBCT-ND
别名：RQ3E160ADTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
DMN3033LDM-7
仓库库存编号：
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名：DMN3033LDM-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E070GNTR
仓库库存编号：
RF4E070GNTRCT-ND
别名：RF4E070GNTRCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E110BNTR
仓库库存编号：
RF4E110BNTRCT-ND
别名：RF4E110BNTRCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E180GNTB
仓库库存编号：
RQ3E180GNTBCT-ND
别名：RQ3E180GNTBCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
型号：
RF4E075ATTCR
仓库库存编号：
RF4E075ATTCRCT-ND
别名：RF4E075ATTCRCT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2W（Ta） MicroFET 3x3mm
型号：
FDFM2P110
仓库库存编号：
FDFM2P110CT-ND
别名：FDFM2P110CT
规格：功率耗散（最大值） 2W（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
