规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 316mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN5325N8-G
仓库库存编号：
TN5325N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP5322N8-G
仓库库存编号：
TP5322N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN5335N8-G
仓库库存编号：
TN5335N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4430BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4430BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4430BDY-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 250mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN2450N8-G
仓库库存编号：
VN2450N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4368DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4368DY-T1-E3TR-ND
别名：SI4368DY-T1-E3TR
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 630mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2502N8-G
仓库库存编号：
TP2502N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 365mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN2435N8-G
仓库库存编号：
TN2435N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4874BDY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2520N8-G
仓库库存编号：
TP2520N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 220V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2522N8-G
仓库库存编号：
TP2522N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 240V 316mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2424N8-G
仓库库存编号：
TP2424N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4866DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN3205N8-G
仓库库存编号：
VN3205N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2435N8-G
仓库库存编号：
TP2435N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VP3203N8-G
仓库库存编号：
VP3203N8-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4838DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4838DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4442DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4442DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4368DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4368DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4408DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4408DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4864DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4864DY-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4864DY-T1-GE3
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SI4864DY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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