规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2530N8-G
仓库库存编号：
DN2530N8-GCT-ND
别名：DN2530N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
DMN3024LSS-13
仓库库存编号：
DMN3024LSS-13DICT-ND
别名：DMN3024LSS-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 9.4A T0252
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252
型号：
DMP6185SK3-13
仓库库存编号：
DMP6185SK3-13DICT-ND
别名：DMP6185SK3-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC637AN
仓库库存编号：
FDC637ANCT-ND
别名：FDC637ANCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN2450N8-G
仓库库存编号：
DN2450N8-GCT-ND
别名：DN2450N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1313-4CC-037
型号：
EFC4612R-TR
仓库库存编号：
EFC4612R-TROSCT-ND
别名：EFC4612R-TROSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC3612
仓库库存编号：
FDC3612CT-ND
别名：FDC3612CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC2512
仓库库存编号：
FDC2512CT-ND
别名：FDC2512CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC606P
仓库库存编号：
FDC606PCT-ND
别名：FDC606PCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC645N
仓库库存编号：
FDC645NCT-ND
别名：FDC645NCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
FDFS6N754
仓库库存编号：
FDFS6N754CT-ND
别名：FDFS6N754CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN2460N8-G
仓库库存编号：
VN2460N8-GCT-ND
别名：VN2460N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
型号：
FDC365P
仓库库存编号：
FDC365PCT-ND
别名：FDC365PCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC86244
仓库库存编号：
FDC86244CT-ND
别名：FDC86244CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH6012SPS-13
仓库库存编号：
DMNH6012SPS-13DICT-ND
别名：DMNH6012SPS-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPS-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH4006SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH4006SPSQ-13DICT-ND
别名：DMNH4006SPSQ-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 500V 0.16A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 160mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VP2450N8-G
仓库库存编号：
VP2450N8-GCT-ND
别名：VP2450N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4430BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4430BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4430BDY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS10P02R2G
仓库库存编号：
NTMS10P02R2GOSCT-ND
别名：NTMS10P02R2GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPSQ-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPSQ-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4408DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4408DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4408DY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4442DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4442DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4442DY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO203SP H
仓库库存编号：
BSO203SP HCT-ND
别名：BSO203SP HCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN1509N8-G
仓库库存编号：
DN1509N8-GCT-ND
别名：DN1509N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）,
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