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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 240V 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP4424ASTOA
  仓库库存编号：ZVP4424ASTOA-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 240V 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP4424ASTOB
  仓库库存编号：ZVP4424ASTOB-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2327DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2327DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2327DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 750mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4800NR2G
  仓库库存编号：NTMS4800NR2G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2323DS-T1
  仓库库存编号：SI2323DS-T1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2327DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2327DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2327DS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2335DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2335DS-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2335DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2335DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2335DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 400mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92
  
  型号：2SK4150TZ-E
  仓库库存编号：2SK4150TZ-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 1A（Ta） 750mW（Ta） TO-92
  
  型号：2SK4151TZ-E
  仓库库存编号：2SK4151TZ-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：HS54095TZ-E
  仓库库存编号：HS54095TZ-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C10NT1G-001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM3404CX RFG
  仓库库存编号：TSM3404CX RFGTR-ND
  别名：TSM3404CX RFGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM3404CX RFG
  仓库库存编号：TSM3404CX RFGCT-ND
  别名：TSM3404CX RFGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM3404CX RFG
  仓库库存编号：TSM3404CX RFGDKR-ND
  别名：TSM3404CX RFGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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